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双光折变离子掺杂铌酸锂晶体的电子结构和光学性质研究

摘要第6-8页
Abstract第8-9页
第1章 绪论第10-20页
    1.1 课题背景和意义第10页
    1.2 光学体全息存储技术第10-15页
        1.2.1 光学体全息存储的优点第11页
        1.2.2 光学体全息存储的研究进展第11-12页
        1.2.3 非易失性全息存储技术第12-14页
        1.2.4 双中心全息存储的基本原理第14-15页
    1.3 铌酸锂晶体结构及性质第15-18页
        1.3.1 铌酸锂晶体的基本结构第15-16页
        1.3.2 铌酸锂晶体的掺杂特性第16-18页
    1.4 主要研究内容第18-20页
第2章 计算理论和CASTEP简介第20-27页
    2.1 第一性原理第20页
    2.2 密度泛函理论第20-25页
        2.2.1 Thomas-Fermi模型第21页
        2.2.2 Hohenberg-Kohn定理第21-23页
        2.2.3 Kohn-Sham方程第23-24页
        2.2.4 交换-关联泛函第24-25页
    2.3 CASTEP简介第25-27页
第3章 铜锰掺杂LN晶体的电子结构和光学性质第27-36页
    3.1 晶体的模型建立和计算方法第27-29页
        3.1.1 LN晶体的模型建立第27-28页
        3.1.2 铜锰掺杂LN晶体的模型建立第28-29页
        3.1.3 计算方法第29页
    3.2 计算结果与分析第29-35页
        3.2.1 LN晶体的电子结构第30页
        3.2.2 铜锰掺杂LN晶体的电子结构第30-32页
        3.2.3 铜锰掺杂LN晶体的光学性质第32-35页
    3.3 本章小结第35-36页
第4章 铁镍掺杂LN晶体的电子结构和光学性质第36-44页
    4.1 晶体的模型建立和计算方法第36-38页
        4.1.1 铁镍掺杂LN晶体的模型建立第36-37页
        4.1.2 计算方法第37-38页
    4.2 计算结果与分析第38-43页
        4.2.1 铁镍掺杂LN晶体的电子结构第38-40页
        4.2.2 铁镍掺杂LN晶体的光学性质第40-43页
    4.3 本章小结第43-44页
第5章 结论与展望第44-46页
    5.1 本文结论第44页
    5.2 本文存在的不足第44页
    5.3 展望第44-46页
参考文献第46-52页
致谢第52-53页
硕士期间发表的学术论文第53页

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