摘要 | 第12-13页 |
ABSTRACT | 第13-14页 |
缩略语与符号使用说明 | 第15-17页 |
第一章 绪论 | 第17-29页 |
1.1 研究背景 | 第17-20页 |
1.1.1 强电磁环境的产生与威胁 | 第17-19页 |
1.1.2 空间自适应防护技术 | 第19-20页 |
1.2 非线性电磁仿真测试研究现状 | 第20-26页 |
1.2.1 三维电磁结构的场路联合仿真技术 | 第20-21页 |
1.2.2 集总加载电磁结构的测试技术 | 第21-26页 |
1.3 研究内容与章节安排 | 第26-29页 |
第二章 能量选择表面瞬态仿真研究 | 第29-51页 |
2.1 基于卷积技术的场路联合仿真 | 第29-33页 |
2.1.1 戴维南网络等效 | 第29-30页 |
2.1.2 卷积积分方程求解 | 第30-32页 |
2.1.3 空间场分布计算 | 第32-33页 |
2.2 多端口网络的时域建模算法 | 第33-46页 |
2.2.1 因果离散脉冲响应提取方法 | 第34-40页 |
2.2.2 大规模网络的脉冲响应建模 | 第40-46页 |
2.3 有限大能量选择表面分析 | 第46-50页 |
2.4 本章小结 | 第50-51页 |
第三章 用于能量选择表面的器件测量研究 | 第51-79页 |
3.1 传统TRL校准算法 | 第52-65页 |
3.1.1 测量夹具误差模型 | 第52-53页 |
3.1.2 TRL校准三步曲 | 第53-60页 |
3.1.3 TRL校准隐含特性 | 第60-65页 |
3.2 TRL校准算法的改进研究 | 第65-74页 |
3.2.1 任意长度阻抗传输线变换 | 第65-67页 |
3.2.2 小型集总贴片器件测量 | 第67-74页 |
3.3 测量夹具研制与测试 | 第74-78页 |
3.3.1 器件无损测试夹具设计 | 第75-78页 |
3.3.2 测量一致性测试 | 第78页 |
3.4 本章小结 | 第78-79页 |
第四章 能量选择表面测试研究 | 第79-109页 |
4.1 半导体器件性能测试 | 第79-89页 |
4.1.1 直流伏安特性测试 | 第79-82页 |
4.1.2 脉冲反向恢复特性测试 | 第82-85页 |
4.1.3 零偏/导通S参数测试 | 第85-89页 |
4.2 能量选择表面有源偏置测试 | 第89-98页 |
4.2.1 防护测试样品和方法简介 | 第89-90页 |
4.2.2 基于屏蔽箱的测试方法研究 | 第90-92页 |
4.2.3 基于吸波墙的测试方法研究 | 第92-95页 |
4.2.4 基于吸波腔的测试方法研究 | 第95-98页 |
4.3 能量选择表面强场辐照测试 | 第98-108页 |
4.3.1 防护器件微波导通阈值测试 | 第98-104页 |
4.3.2 高功率微波辐照测试方法研究 | 第104-108页 |
4.4 本章小结 | 第108-109页 |
第五章 能量选择表面防护应用研究 | 第109-123页 |
5.1 有限大能量选择表面灵敏度分析 | 第109-115页 |
5.1.1 概率统计与数值建模 | 第109-112页 |
5.1.2 器件参数不一致性分析 | 第112-113页 |
5.1.3 器件焊接合格率分析 | 第113-115页 |
5.2 基于石墨烯的能量选择表面设计 | 第115-121页 |
5.2.1 电导率对屏蔽效能的影响 | 第117-119页 |
5.2.2 石墨烯代替金属试验分析 | 第119-121页 |
5.3 本章小结 | 第121-123页 |
第六章 总结与展望 | 第123-125页 |
6.1 研究成果 | 第123-124页 |
6.2 应用展望 | 第124-125页 |
致谢 | 第125-127页 |
参考文献 | 第127-135页 |
作者在学期间取得的学术成果 | 第135-137页 |
附录A 微波测量去嵌入校准相关推导和证明 | 第137-143页 |
A.1 S参数、T参数定义及相互转换 | 第137-138页 |
A.2 反射校准件测量端口反射系数计算 | 第138-139页 |
A.3 T参数归一化阻抗变换 | 第139-143页 |
A.3.1 T参数转化为Z参数 | 第139-140页 |
A.3.2 Z参数转为T参数 | 第140-141页 |
A.3.3 T参数相互转化 | 第141-143页 |
附录B MATLAB测试相关程序 | 第143-149页 |
B.1 代码1:任意长度传输线变换 | 第143-144页 |
B.2 代码2:二端口集中器件TL去嵌入校准 | 第144-147页 |
B.3 代码3:基于SCPI仪器控制的自动频率/功率扫描 | 第147-149页 |