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硅化镁LED材料的制备与器件的设计研究

摘要第4-5页
Abstract第5-6页
第一章 绪论第7-21页
    1.1 研究意义第7-8页
    1.2 Mg_2Si的基本性质第8-13页
        1.2.1 Mg-Si体系的相图第8页
        1.2.2 Mg_2Si的晶体结构第8-9页
        1.2.3 Mg_2Si的光学、电学性质第9-13页
    1.3 Mg_2Si的应用研究现状第13-15页
        1.3.1 热电材料第13-14页
        1.3.2 电池材料第14页
        1.3.3 复合材料第14页
        1.3.4 电子器件第14-15页
    1.4 Mg_2Si薄膜的研究现状第15-18页
    1.5 LED发光材料的研究现状第18-19页
    1.6 本文的研究内容与研究方案第19-21页
第二章 制备与表征方法第21-32页
    2.1 原料第21页
    2.2 制备仪器第21-26页
        2.2.1 磁控溅射系统第22-24页
        2.2.2 热处理系统第24-25页
        2.2.3 辅助设备第25-26页
    2.3 样品的表征设备第26-31页
        2.3.1 X射线衍射仪第26-28页
        2.3.2 扫描电子显微镜第28-29页
        2.3.3 台阶仪第29页
        2.3.4 四探针第29页
        2.3.5 稳态/瞬态荧光光谱仪第29-31页
        2.3.6 半导体器件分析仪第31页
    2.4 本章小结第31-32页
第三章 Mg_2Si薄膜的制备与表征第32-45页
    3.1 Mg_2Si薄膜的制备第32-36页
        3.1.1 衬底材料与靶材的处理第33-34页
        3.1.2 磁控溅射沉积第34-35页
        3.1.3 热处理第35-36页
    3.2 Mg_2Si薄膜的晶体结构及表征第36页
    3.3 Mg_2Si薄膜的表面形貌及表征第36-37页
    3.4 溅射Mg膜厚度对Mg_2Si薄膜生长的影响第37-44页
        3.4.1 样品的制备第37-38页
        3.4.2 Mg的溅射速率第38-40页
        3.4.3 Mg膜厚度对Mg_2Si薄膜晶体结构的影响第40-41页
        3.4.4 Mg膜厚度对Mg_2Si薄膜形貌的影响第41-43页
        3.4.5 Mg膜厚度与Mg_2Si薄膜厚度之间的关系第43-44页
    3.5 本章小结第44-45页
第四章 Mg_2Si/Si异质结LED的制备与研究第45-58页
    4.1 Mg_2Si/Si异质结LED的制备第45-46页
    4.2 Mg_2Si/Si异质结LED性能研究第46-57页
        4.2.1 Mg_2Si/Si异质结LED电阻特性研究第47-49页
        4.2.2 Mg_2Si/Si异质结LED I-V特性研究第49-51页
        4.2.3 Mg_2Si/Si异质结LED光致发光研究第51-56页
        4.2.4 Mg_2Si/Si异质结LED电致发光研究第56-57页
    4.3 本章小结第57-58页
第五章 Si/Mg_2Si/Si双异质结LED的制备与研究第58-64页
    5.1 Si/Mg_2Si/Si的双异质结LED的制备第58-60页
    5.2 Si/Mg_2Si/Si双异质结LED I-V特性研究第60-62页
    5.3 Si/Mg_2Si/Si双异质结LED电致发光特性研究第62-63页
    5.4 本章小结第63-64页
第六章 绝缘衬底上Mg_2Si薄膜的制备与研究第64-74页
    6.1 绝缘衬底上Mg_2Si薄膜的制备第64-66页
    6.2 绝缘衬底上Mg_2Si薄膜的表征第66-68页
        6.2.1 XRD测试结果与分析第66-68页
        6.2.2 SEM测试结果与分析第68页
    6.3 绝缘衬底上制备Mg_2Si薄膜的光电特性研究第68-72页
        6.3.1 电阻特性研究第69页
        6.3.2 光致发光特性研究第69-72页
    6.4 本章小结第72-74页
第七章 总结与展望第74-76页
致谢第76-78页
参考文献第78-85页
附录第85-86页

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