摘要 | 第4-5页 |
Abstract | 第5-6页 |
第一章 绪论 | 第7-21页 |
1.1 研究意义 | 第7-8页 |
1.2 Mg_2Si的基本性质 | 第8-13页 |
1.2.1 Mg-Si体系的相图 | 第8页 |
1.2.2 Mg_2Si的晶体结构 | 第8-9页 |
1.2.3 Mg_2Si的光学、电学性质 | 第9-13页 |
1.3 Mg_2Si的应用研究现状 | 第13-15页 |
1.3.1 热电材料 | 第13-14页 |
1.3.2 电池材料 | 第14页 |
1.3.3 复合材料 | 第14页 |
1.3.4 电子器件 | 第14-15页 |
1.4 Mg_2Si薄膜的研究现状 | 第15-18页 |
1.5 LED发光材料的研究现状 | 第18-19页 |
1.6 本文的研究内容与研究方案 | 第19-21页 |
第二章 制备与表征方法 | 第21-32页 |
2.1 原料 | 第21页 |
2.2 制备仪器 | 第21-26页 |
2.2.1 磁控溅射系统 | 第22-24页 |
2.2.2 热处理系统 | 第24-25页 |
2.2.3 辅助设备 | 第25-26页 |
2.3 样品的表征设备 | 第26-31页 |
2.3.1 X射线衍射仪 | 第26-28页 |
2.3.2 扫描电子显微镜 | 第28-29页 |
2.3.3 台阶仪 | 第29页 |
2.3.4 四探针 | 第29页 |
2.3.5 稳态/瞬态荧光光谱仪 | 第29-31页 |
2.3.6 半导体器件分析仪 | 第31页 |
2.4 本章小结 | 第31-32页 |
第三章 Mg_2Si薄膜的制备与表征 | 第32-45页 |
3.1 Mg_2Si薄膜的制备 | 第32-36页 |
3.1.1 衬底材料与靶材的处理 | 第33-34页 |
3.1.2 磁控溅射沉积 | 第34-35页 |
3.1.3 热处理 | 第35-36页 |
3.2 Mg_2Si薄膜的晶体结构及表征 | 第36页 |
3.3 Mg_2Si薄膜的表面形貌及表征 | 第36-37页 |
3.4 溅射Mg膜厚度对Mg_2Si薄膜生长的影响 | 第37-44页 |
3.4.1 样品的制备 | 第37-38页 |
3.4.2 Mg的溅射速率 | 第38-40页 |
3.4.3 Mg膜厚度对Mg_2Si薄膜晶体结构的影响 | 第40-41页 |
3.4.4 Mg膜厚度对Mg_2Si薄膜形貌的影响 | 第41-43页 |
3.4.5 Mg膜厚度与Mg_2Si薄膜厚度之间的关系 | 第43-44页 |
3.5 本章小结 | 第44-45页 |
第四章 Mg_2Si/Si异质结LED的制备与研究 | 第45-58页 |
4.1 Mg_2Si/Si异质结LED的制备 | 第45-46页 |
4.2 Mg_2Si/Si异质结LED性能研究 | 第46-57页 |
4.2.1 Mg_2Si/Si异质结LED电阻特性研究 | 第47-49页 |
4.2.2 Mg_2Si/Si异质结LED I-V特性研究 | 第49-51页 |
4.2.3 Mg_2Si/Si异质结LED光致发光研究 | 第51-56页 |
4.2.4 Mg_2Si/Si异质结LED电致发光研究 | 第56-57页 |
4.3 本章小结 | 第57-58页 |
第五章 Si/Mg_2Si/Si双异质结LED的制备与研究 | 第58-64页 |
5.1 Si/Mg_2Si/Si的双异质结LED的制备 | 第58-60页 |
5.2 Si/Mg_2Si/Si双异质结LED I-V特性研究 | 第60-62页 |
5.3 Si/Mg_2Si/Si双异质结LED电致发光特性研究 | 第62-63页 |
5.4 本章小结 | 第63-64页 |
第六章 绝缘衬底上Mg_2Si薄膜的制备与研究 | 第64-74页 |
6.1 绝缘衬底上Mg_2Si薄膜的制备 | 第64-66页 |
6.2 绝缘衬底上Mg_2Si薄膜的表征 | 第66-68页 |
6.2.1 XRD测试结果与分析 | 第66-68页 |
6.2.2 SEM测试结果与分析 | 第68页 |
6.3 绝缘衬底上制备Mg_2Si薄膜的光电特性研究 | 第68-72页 |
6.3.1 电阻特性研究 | 第69页 |
6.3.2 光致发光特性研究 | 第69-72页 |
6.4 本章小结 | 第72-74页 |
第七章 总结与展望 | 第74-76页 |
致谢 | 第76-78页 |
参考文献 | 第78-85页 |
附录 | 第85-86页 |