碳/硅纳米管压力传感器分子动力学模拟
| 摘要 | 第3-4页 |
| Abstract | 第4-5页 |
| 第1章 绪论 | 第8-22页 |
| 1.1 研究背景 | 第8-9页 |
| 1.2 研究意义 | 第9-10页 |
| 1.3 国内外研究状况 | 第10-21页 |
| 1.3.1 碳纳米管结构 | 第10-12页 |
| 1.3.2 碳纳米管压力传感器的研究现状 | 第12-16页 |
| 1.3.3 硅纳米管的结构 | 第16-18页 |
| 1.3.3.1 SiNT的结构 | 第16-17页 |
| 1.3.3.2 SiNP的结构 | 第17-18页 |
| 1.3.4 硅纳米管的制备 | 第18-19页 |
| 1.3.5 硅纳米管压力传感器的研究现状 | 第19-21页 |
| 1.4 研究目的和内容 | 第21-22页 |
| 第2章 分子动力学原理和模拟方法 | 第22-31页 |
| 2.1 分子动力学的基本原理 | 第22-25页 |
| 2.2 分子动力学数值计算的方法 | 第25-27页 |
| 2.3 Tersoff势 | 第27-31页 |
| 第3章 碳纳米管压力传感器的分子动力学模拟 | 第31-49页 |
| 3.1 引言 | 第31-32页 |
| 3.2 模型建立及模拟方法 | 第32-35页 |
| 3.3 结果分析 | 第35-48页 |
| 3.3.1 模型验证 | 第35-36页 |
| 3.3.2 应力应变及原子结构的演变 | 第36-38页 |
| 3.3.3 势能、中间偏移及张力随时间的变化 | 第38-40页 |
| 3.3.4 手性和直径对抗弯强度的影响 | 第40页 |
| 3.3.5 温度的影响 | 第40-41页 |
| 3.3.6 压力传感器的量程范围 | 第41-44页 |
| 3.3.7 压力对灵敏度的影响 | 第44-47页 |
| 3.3.8 压力对电导率变化的影响 | 第47-48页 |
| 3.4 本章小结 | 第48-49页 |
| 第4章 碳纳米管束压力传感器的分子动力学模拟 | 第49-59页 |
| 4.1 引言 | 第49-50页 |
| 4.2 模型建立及模拟方法 | 第50-51页 |
| 4.3 结果分析 | 第51-57页 |
| 4.3.1 碳纳米管束应力应变 | 第51-52页 |
| 4.3.2 温度对临界抗弯强度的影响 | 第52-53页 |
| 4.3.3 根数对临界抗弯强度的影响 | 第53-54页 |
| 4.3.4 直径对临界抗弯强度的影响 | 第54-55页 |
| 4.3.5 压力对灵敏度的影响 | 第55-56页 |
| 4.3.6 压力对电导率变化的影响 | 第56-57页 |
| 4.4 本章小结 | 第57-59页 |
| 第5章 硅纳米管/线压力传感器的分子动力学模拟 | 第59-72页 |
| 5.1 引言 | 第59-60页 |
| 5.2 模型建立及模拟方法 | 第60-62页 |
| 5.3 结果分析 | 第62-70页 |
| 5.3.1 应力应变及原子结构的演变 | 第62-65页 |
| 5.3.2 直径对抗弯强度的影响 | 第65-66页 |
| 5.3.3 温度对抗弯强度的影响 | 第66-67页 |
| 5.3.4 压力传感器的量程范围 | 第67-68页 |
| 5.3.5 压力对灵敏度的影响 | 第68-69页 |
| 5.3.6 压力对电导率变化的影响 | 第69-70页 |
| 5.4 本章小结 | 第70-72页 |
| 第6章 结论及展望 | 第72-75页 |
| 6.1 结论 | 第72-74页 |
| 6.2 展望 | 第74-75页 |
| 参考文献 | 第75-81页 |
| 攻读硕士期间发表的论文 | 第81-82页 |
| 致谢 | 第82-83页 |
