| 摘要 | 第5-6页 |
| ABSTRACT | 第6-7页 |
| 第一章 绪论 | 第10-20页 |
| 1.1 引言 | 第10-11页 |
| 1.2 金属硒化物概述 | 第11-14页 |
| 1.2.1 硒特性简介 | 第11-12页 |
| 1.2.2 硒化物层状材料结构特性 | 第12-14页 |
| 1.3 硒化铋和硒化铟层状材料的光电及热电应用 | 第14-17页 |
| 1.3.1 硒化铋的材料特性及其应用 | 第14-15页 |
| 1.3.2 硒化铟的材料特性及其应用 | 第15-17页 |
| 1.4 国内外研究现状 | 第17-18页 |
| 1.5 论文选题目标与研究内容 | 第18-20页 |
| 第二章 硒化物层状材料制备方法与测试表征 | 第20-31页 |
| 2.1 硒化物薄膜制备方法简介 | 第20-24页 |
| 2.1.1 物理气相沉积法 | 第20-22页 |
| 2.1.2 分子束外延 | 第22-24页 |
| 2.2 形貌结构表征手段 | 第24-27页 |
| 2.2.1 X射线衍射 | 第24-25页 |
| 2.2.2 扫描电子显微镜 | 第25-26页 |
| 2.2.3 原子力显微镜 | 第26-27页 |
| 2.2.4 X射线能谱分析和拉曼散射 | 第27页 |
| 2.3 电学和光学表征手段 | 第27-31页 |
| 2.3.1 变温I-V测试 | 第27-28页 |
| 2.3.2 霍尔效应 | 第28-29页 |
| 2.3.3 外量子效率测试和光电转化效率测试 | 第29-31页 |
| 第三章 硒化铋层状材料的氧化湿法刻蚀研究 | 第31-48页 |
| 3.1 引言 | 第31页 |
| 3.2 Bi_2Se_3单晶薄膜的制备与表征 | 第31-35页 |
| 3.2.1 PVD法制备Bi_2Se_3单晶薄膜 | 第31-33页 |
| 3.2.2 薄膜结构与形貌表征 | 第33-35页 |
| 3.3 刻蚀窗.的制备及刻蚀液配比 | 第35-38页 |
| 3.3.1 图形转移 | 第35-36页 |
| 3.3.2 刻蚀液选定及配比 | 第36-38页 |
| 3.4 试验测试表征及结果分析 | 第38-43页 |
| 3.4.1 刻蚀的显微结果和Raman光谱分析 | 第38-40页 |
| 3.4.2 K_2Cr2_O_7-HCl刻蚀液对Bi_2Se_3薄膜刻蚀速率的测定 | 第40-43页 |
| 3.5 两种刻蚀液的实验结果对比 | 第43-45页 |
| 3.6 刻蚀液化学原理分析 | 第45-46页 |
| 3.7 本章小结 | 第46-48页 |
| 第四章 硒化铟薄膜的可控生长及其光电特性研究 | 第48-62页 |
| 4.1 引言 | 第48页 |
| 4.2 单晶 α 相结构的硒化铟薄膜制备及表征 | 第48-53页 |
| 4.2.1 α 相结构的硒化铟薄膜生长 | 第48-50页 |
| 4.2.2 薄膜形貌及结构表征 | 第50-53页 |
| 4.3 基于硒化铟薄膜的器件制备与光学表征 | 第53-56页 |
| 4.3.1 器件结构与制备 | 第53-54页 |
| 4.3.2 器件的光学测试 | 第54-56页 |
| 4.3.2.1 室温下器件的暗电流与光电流响应 | 第54-55页 |
| 4.3.2.2 器件的外量子效率测试 | 第55-56页 |
| 4.4 器件的异质结特性分析 | 第56-60页 |
| 4.4.1 α-In_2Se_3薄膜能带测试 | 第56-58页 |
| 4.4.2 变温I-V测试及肖特基结拟合 | 第58-60页 |
| 4.5 本章小结 | 第60-62页 |
| 第五章 结论 | 第62-63页 |
| 致谢 | 第63-64页 |
| 参考文献 | 第64-70页 |
| 攻读硕士学位期间取得的成果 | 第70-71页 |