| 摘要 | 第5-6页 |
| ABSTRACT | 第6-7页 |
| 第一章 引言 | 第10-15页 |
| 1.1 研究背景与意义 | 第10-11页 |
| 1.2 国内外发展动态 | 第11-13页 |
| 1.2.1 应变技术的发展 | 第11-12页 |
| 1.2.2 应变LDMOS器件的发展 | 第12-13页 |
| 1.3 论文主要内容 | 第13-15页 |
| 第二章 应变技术和应变LDMOSFET器件的分析 | 第15-36页 |
| 2.1 应变技术 | 第15-22页 |
| 2.1.1 全局应变技术 | 第15-18页 |
| 2.1.2 局部应变技术 | 第18-22页 |
| 2.2 RF LDMOSFET器件基本特性分析 | 第22-29页 |
| 2.2.1 体硅LDMOSFET器件模型 | 第22-25页 |
| 2.2.2 RF LDMOSFET器件基本电学特性 | 第25-29页 |
| 2.3 应变技术在RF LDMOSFET中的运用 | 第29-35页 |
| 2.3.1 硅片弯曲法 | 第29-30页 |
| 2.3.2 应变弛豫SiGe缓冲层 | 第30-32页 |
| 2.3.3 类STI单多晶槽法 | 第32-33页 |
| 2.3.4 CESL应变法 | 第33-35页 |
| 2.4 本章小结 | 第35-36页 |
| 第三章 漂移区正应变的PSOI RF LDMOSFET器件研究 | 第36-50页 |
| 3.1 小尺寸应变RF LDMOSFET仿真模型 | 第36-37页 |
| 3.2 漂移区寄生电阻对器件性能的影响 | 第37-39页 |
| 3.3 漂移区正应变RF LDMOSFET器件电学特性分析 | 第39-48页 |
| 3.3.1 器件结构模型 | 第39-41页 |
| 3.3.2 BOX尺寸优化 | 第41-42页 |
| 3.3.3 应力与迁移率 | 第42页 |
| 3.3.4 导通电阻和击穿电压 | 第42-43页 |
| 3.3.5 漂移区应变对直流特性的影响 | 第43-45页 |
| 3.3.6 漂移区应变对频率特性的影响 | 第45-47页 |
| 3.3.7 栅压和器件结构对漂移区表面电子浓度的影响 | 第47-48页 |
| 3.4 本章小结 | 第48-50页 |
| 第四章 抑制小尺寸效应的超薄应变PSOI RF LDMOSFET器件研究 | 第50-60页 |
| 4.1 超薄应变PSOIRF LDMOSFET结构模型 | 第50-51页 |
| 4.2 超薄应变PSOI RF LDMOSFET应力分析 | 第51-54页 |
| 4.2.1 顶层硅的厚度和沟道平均应力的关系 | 第52-53页 |
| 4.2.2 BOX尺寸与沟道平均应力的关系 | 第53-54页 |
| 4.2.3 超薄应变PSOI RF LDMOSFET的沟道应力分布 | 第54页 |
| 4.3 超薄应变PSOI RF LDMOSFET电学特性分析 | 第54-58页 |
| 4.3.1 沟道下方PSOI结构对亚阈区特性的影响 | 第55页 |
| 4.3.2 转移和跨导特性 | 第55-56页 |
| 4.3.3 输出特性 | 第56-57页 |
| 4.3.4 BOX对截止频率的影响 | 第57-58页 |
| 4.4 本章小结 | 第58-60页 |
| 第五章 结论 | 第60-62页 |
| 致谢 | 第62-63页 |
| 参考文献 | 第63-69页 |
| 攻读硕士期间取得的研究成果 | 第69-70页 |
