| 摘要 | 第5-8页 |
| Abstract | 第8-11页 |
| 第1章 引言 | 第16-36页 |
| §1.1 晶体硅表面 | 第16-19页 |
| §1.1.1 晶体硅表面物理 | 第16-18页 |
| §1.1.2 晶体硅表面清洗 | 第18-19页 |
| §1.2 晶体硅表面钝化 | 第19-22页 |
| §1.2.1 化学钝化 | 第20-21页 |
| §1.2.2 场效应钝化 | 第21页 |
| §1.2.3 电化学钝化 | 第21-22页 |
| §1.3 表面钝化与硅太阳电池技术 | 第22-27页 |
| §1.3.1 同质结硅太阳电池表面复合的抑制 | 第22-23页 |
| §1.3.2 异质结界面与异质结电池 | 第23-25页 |
| §1.3.3 同质结-异质背场与异质结-同质背场电池 | 第25-27页 |
| §1.4 本论文思想来源、创新性和研究意义 | 第27-30页 |
| §1.4.1 我们先前的工作 | 第27-28页 |
| §1.4.2 本论文中心思想来源 | 第28-29页 |
| §1.4.3 本论文创新性 | 第29页 |
| §1.4.4 本论文研究意义 | 第29-30页 |
| §1.5 本论文组织 | 第30-31页 |
| 参考文献 | 第31-36页 |
| 第2章 实验方法 | 第36-50页 |
| §2.1 硅片选择与清洗 | 第36页 |
| §2.2 薄膜制备 | 第36-38页 |
| §2.3 电极材料制备 | 第38-39页 |
| §2.4 硅片少子寿命测试 | 第39页 |
| §2.5 样品封装与少子寿命测试气氛控制装置 | 第39-40页 |
| §2.6 光致发光 | 第40-41页 |
| §2.7 X射线光电子能谱 | 第41-42页 |
| §2.8 紫外光电子能谱 | 第42页 |
| §2.9 光电性能测试 | 第42-43页 |
| §2.10 扫描电子显微镜和透射电子显微镜 | 第43页 |
| §2.11 电流-电压特性曲线 | 第43-46页 |
| §2.12 第一性原理计算 | 第46-48页 |
| 参考文献 | 第48-50页 |
| 第3章 聚合物薄膜高质量钝化效果及其电化学钝化机制 | 第50-87页 |
| §3.1 引言 | 第50-52页 |
| §3.2 钝化特性—从PEDOT:PSS到PSS | 第52-57页 |
| §3.3 PSS/Si界面状态与钝化机制 | 第57-63页 |
| §3.3.1 界面状态 | 第57-59页 |
| §3.3.2 嫁接方式 | 第59-61页 |
| §3.3.3 电化学钝化机制 | 第61-63页 |
| §3.4 载流子输运特性 | 第63-67页 |
| §3.4.1 少子寿命的演变规律 | 第63-64页 |
| §3.4.2 能带结构分析 | 第64-66页 |
| §3.4.3 光致增强(LIE)与光致衰减(LID) | 第66页 |
| §3.4.4 O_2增强机理 | 第66页 |
| §3.4.5 吸湿影响 | 第66-67页 |
| §3.5 PSS/Si界面钝化稳定性问题 | 第67-76页 |
| §3.5.1 不稳定的物理原因 | 第67-68页 |
| §3.5.2 解决方案 | 第68-71页 |
| §3.5.3 PSS:X系列材料开发 | 第71-75页 |
| §3.5.4 补充研究：PSS薄膜电导率稳定性问题 | 第75-76页 |
| §3.6 钝化本源 | 第76-83页 |
| §3.6.1 功能本源 | 第77-80页 |
| §3.6.2 物理本源 | 第80-81页 |
| §3.6.3 官能团钝化体系的建立 | 第81-83页 |
| §3.7 本章总结 | 第83-85页 |
| 参考文献 | 第85-87页 |
| 第4章 PSS/Si界面特性在光伏技术中的应用 | 第87-105页 |
| §4.1 引言 | 第87-88页 |
| §4.2 硅片质量检测 | 第88-91页 |
| §4.2.1 PSS与其他钝化技术的比较 | 第88-89页 |
| §4.2.2 PSS钝化用于硅片质量检测 | 第89-91页 |
| §4.2.3 官能团钝化体系中的其他三种薄膜用于硅片质量检测 | 第91页 |
| §4.3 聚合物薄膜作为IBC太阳电池前表面钝化/减反双功能材料 | 第91-97页 |
| §4.3.1 PSS薄膜的光学性质 | 第91-93页 |
| §4.3.2 带有钝化/减反双功能聚合物薄膜IBC电池的制备 | 第93页 |
| §4.3.3 IBC电池性能 | 第93-97页 |
| §4.4 杂化电池的光致增强效应 | 第97-102页 |
| §4.4.1 杂化电池的制备 | 第97-98页 |
| §4.4.2 杂化电池的LIE | 第98页 |
| §4.4.3 电致增强效应 | 第98-100页 |
| §4.4.4 杂化电池LIE的物理解释 | 第100-102页 |
| §4.5 本章总结 | 第102-103页 |
| 参考文献 | 第103-105页 |
| 第5章 基于PSS/Si可翻转界面特性的聚合物界面存储器 | 第105-114页 |
| §5.1 引言 | 第105页 |
| §5.2 典型存储技术基本原理回顾 | 第105-106页 |
| §5.3 寿命-电压滞后回线—界面存储效应 | 第106-108页 |
| §5.4 电容-电压(C-V)和电导-电压(G-V)滞后回线 | 第108-109页 |
| §5.5 物理解释 | 第109-111页 |
| §5.6 本章总结 | 第111-112页 |
| 参考文献 | 第112-114页 |
| 结束语 | 第114-117页 |
| 附录A 缩略词与符号表 | 第117-120页 |
| 附录B PSS钝化遂穿结、聚合物双面钝化异质结电池和官能团嫁接示意图 | 第120-122页 |
| 致谢 | 第122-123页 |
| 攻读学位期间研究成果 | 第123-125页 |
