n型硅双面太阳电池背场关键技术的研究
| 摘要 | 第5-7页 |
| abstract | 第7-8页 |
| 第1章 引言 | 第12-22页 |
| 1.1 n型硅的优势 | 第12-13页 |
| 1.2 n型硅太阳电池技术研究现状 | 第13-20页 |
| 1.2.1 n型硅太阳电池结构 | 第13-17页 |
| 1.2.2 双面太阳电池 | 第17-20页 |
| 1.3 本论文研究的内容和意义 | 第20-21页 |
| 1.4 本论文的创新点 | 第21-22页 |
| 第2章 太阳电池基本原理及检测技术 | 第22-39页 |
| 2.1 太阳电池的基本原理 | 第22-25页 |
| 2.2 扩散的基本原理 | 第25-27页 |
| 2.3 离子注入的基本原理 | 第27-32页 |
| 2.4 太阳电池的检测方法 | 第32-38页 |
| 2.4.1 Voc-scan扫描测试 | 第32页 |
| 2.4.2 Suns-Voc测试 | 第32-33页 |
| 2.4.3 少子寿命测试 | 第33-35页 |
| 2.4.4 电池光谱响应(SR)测试 | 第35-36页 |
| 2.4.5 电化学电容-电压(ECV)测试 | 第36-37页 |
| 2.4.6 光致发光PL与电致发光EL测试 | 第37-38页 |
| 2.5 本章小结 | 第38-39页 |
| 第3章 离子注入背场电池的研究 | 第39-63页 |
| 3.1 n型双面结构电池功率损失模拟 | 第39-41页 |
| 3.2 磷离子注入背场理论分析 | 第41-47页 |
| 3.3 磷离子注入剂量及退火参数的研究 | 第47-52页 |
| 3.3.1 注入剂量对电池性能影响 | 第47-49页 |
| 3.3.2 退火条件对电池性能影响 | 第49-52页 |
| 3.4 磷离子注入电池的制备及研究 | 第52-62页 |
| 3.4.1 背面抛光工艺 | 第52-56页 |
| 3.4.2 湿化学钝化工艺 | 第56-59页 |
| 3.4.3 硅片电阻率的研究 | 第59-61页 |
| 3.4.4 简化离子注入工艺流程 | 第61-62页 |
| 3.5 本章小结 | 第62-63页 |
| 第4章 选择性背场结构电池的研究 | 第63-79页 |
| 4.1 选择性背场结构的电池原理 | 第63-64页 |
| 4.2 选择性背场结构电池的制备方法 | 第64-65页 |
| 4.3 湿法回刻技术制备选择性背场 | 第65-70页 |
| 4.3.1 n型电池的制备方法 | 第65-69页 |
| 4.3.2 湿法回刻制备选择性背场结构电池 | 第69-70页 |
| 4.4 选择性背场电池的制备及结果分析 | 第70-77页 |
| 4.4.1 湿法刻蚀工艺研究 | 第70-72页 |
| 4.4.2 复合电流J0测试 | 第72-73页 |
| 4.4.3 刻蚀深度优化 | 第73页 |
| 4.4.4 掩膜宽度优化 | 第73-75页 |
| 4.4.5 电池效率对比和分析 | 第75-76页 |
| 4.4.6 量子效率分析 | 第76-77页 |
| 4.5 本章小结 | 第77-79页 |
| 第5章 背接触IBC电池的研究 | 第79-97页 |
| 5.1 IBC电池结构 | 第79-80页 |
| 5.2 IBC电池制备方法和工艺流程 | 第80-82页 |
| 5.2.1 IBC电池制备方法 | 第80-81页 |
| 5.2.2 IBC电池工艺流程设计 | 第81-82页 |
| 5.3 IBC电池制备及结果分析 | 第82-96页 |
| 5.3.1 IBC电池的掩膜工艺研究 | 第82-84页 |
| 5.3.2 IBC电池的开槽工艺研究 | 第84-90页 |
| 5.3.3 IBC电池的扩散工艺研究 | 第90-92页 |
| 5.3.4 IBC电池效率结果与分析 | 第92-96页 |
| 5.4 本章小结 | 第96-97页 |
| 第6章 论文总结及展望 | 第97-98页 |
| 参考文献 | 第98-105页 |
| 致谢 | 第105-106页 |
| 攻读博士学位期间取得的研究成果 | 第106页 |
