| 摘要 | 第3-5页 |
| Abstract | 第5-6页 |
| 第一章 绪论 | 第10-32页 |
| 1.1 多铁性材料的简介 | 第11-12页 |
| 1.2 多铁材料的分类 | 第12-16页 |
| 1.2.1 单相多铁性材料 | 第13-14页 |
| 1.2.2 复合相多铁材料 | 第14-16页 |
| 1.3 多铁性磁电耦合效应 | 第16-22页 |
| 1.3.1 交换偏置 | 第16-18页 |
| 1.3.2 应力效应 | 第18-21页 |
| 1.3.3 电荷效应 | 第21-22页 |
| 1.4 磁各向异性 | 第22-24页 |
| 1.5 论文选题依据和研究内容 | 第24-26页 |
| 参考文献 | 第26-32页 |
| 第二章 样品的制备方法和表征技术 | 第32-41页 |
| 2.1 样品的制备方法 | 第32-33页 |
| 2.1.1 磁控溅射法 | 第32页 |
| 2.1.2 分子束外延 | 第32-33页 |
| 2.2 样品的表征技术 | 第33-40页 |
| 2.2.1 X射线衍射仪 | 第33-34页 |
| 2.2.2 透射电子显微镜 | 第34页 |
| 2.2.3 输运测试平台 | 第34-35页 |
| 2.2.4 铁电仪 | 第35-36页 |
| 2.2.5 铁磁共振 | 第36-38页 |
| 2.2.6 振动样品磁强计 | 第38-40页 |
| 参考文献 | 第40-41页 |
| 第三章 应力效应调控多铁异质结的磁性以及多态存储 | 第41-59页 |
| 3.1 前言 | 第41页 |
| 3.2 应力效应调控磁各向异性 | 第41-45页 |
| 3.3 应力调控的多态存储 | 第45-54页 |
| 3.3.1 双极不对称电场的应用 | 第45-50页 |
| 3.3.2 电场冷却的应用 | 第50-54页 |
| 3.4 本章小结 | 第54-56页 |
| 参考文献 | 第56-59页 |
| 第四章 磁子驱动的自旋屏蔽效应的提出 | 第59-77页 |
| 4.1 前言 | 第59-60页 |
| 4.2 应力效应调控磁性的研究 | 第60-65页 |
| 4.2.1 应力效应调控的静态磁性的易失性行为 | 第60-63页 |
| 4.2.2 应力效应调控的共振场依赖于电场的易失性行为 | 第63-65页 |
| 4.3 应力效应和电荷效应共同调控磁性的研究 | 第65-70页 |
| 4.3.1 静态磁性依赖于电场的非易失行为 | 第65-68页 |
| 4.3.2 共振场的变化与界面自旋相关 | 第68-70页 |
| 4.4 磁子驱动的自旋屏蔽效应的理论解释 | 第70-72页 |
| 4.5 本章小结 | 第72-74页 |
| 参考文献 | 第74-77页 |
| 第五章 单晶体系中磁子驱动的自旋屏蔽效应 | 第77-94页 |
| 5.1 前言 | 第77-78页 |
| 5.2 单晶薄膜的结构分析 | 第78-79页 |
| 5.3 电场调控单晶薄膜磁性的变化 | 第79-82页 |
| 5.4 对单晶薄膜的磁性行为变化的分析 | 第82-84页 |
| 5.5 自旋屏蔽效应对立方磁晶各向异性的影响 | 第84-89页 |
| 5.6 自旋屏蔽效应的线性作用 | 第89页 |
| 5.7 本章小结 | 第89-91页 |
| 参考文献 | 第91-94页 |
| 第六章 电场引起长程的自旋屏蔽效应 | 第94-107页 |
| 6.1 前言 | 第94页 |
| 6.2 单晶体系的结构分析 | 第94-95页 |
| 6.3 电场调控不同厚度下单晶薄膜动态磁性的变化 | 第95-99页 |
| 6.4 对单晶薄膜动态磁性行为的分析 | 第99-100页 |
| 6.5 自旋屏蔽效应对不同厚度下单晶薄膜的磁晶各向异性的影响 | 第100-102页 |
| 6.6 自旋屏蔽长度的获得 | 第102-104页 |
| 6.7 本章小结 | 第104-105页 |
| 参考文献 | 第105-107页 |
| 第七章 总结与展望 | 第107-110页 |
| 7.1 总结 | 第107-108页 |
| 7.2 展望 | 第108-110页 |
| 在学期间的研究成果 | 第110-111页 |
| 致谢 | 第111-112页 |