基于紫外压印的二元光学器件制备方法研究
| 摘要 | 第4-5页 |
| ABSTRACT | 第5-6页 |
| 第1章 绪论 | 第10-20页 |
| 1.1 课题背景及研究的目的和意义 | 第10-13页 |
| 1.2 国内外研究情况分析 | 第13-17页 |
| 1.2.1 二元光学器件的制备方法研究 | 第13-15页 |
| 1.2.2 纳米压印技术研究 | 第15-17页 |
| 1.3 本课题的主要研究内容 | 第17-20页 |
| 第2章 纳米压印图形转移技术研究 | 第20-34页 |
| 2.1 引言 | 第20页 |
| 2.2 纳米压印分类 | 第20-24页 |
| 2.2.1 热纳米压印 | 第21页 |
| 2.2.2 紫外纳米压印 | 第21-22页 |
| 2.2.3 微接触压印 | 第22-23页 |
| 2.2.4 三种压印工艺的比较 | 第23-24页 |
| 2.3 纳米压印机理研究 | 第24-27页 |
| 2.3.1 纳米压印原理 | 第24页 |
| 2.3.2 流变与填充理论研究 | 第24-27页 |
| 2.4 纳米压印影响因素分析 | 第27-33页 |
| 2.4.1 压印胶厚度 | 第27-30页 |
| 2.4.2 压印温度 | 第30页 |
| 2.4.3 压印时间 | 第30-31页 |
| 2.4.4 压印压力 | 第31-33页 |
| 2.4.5 固化曝光时间 | 第33页 |
| 2.5 本章小结 | 第33-34页 |
| 第3章 二元光学元件模板制备 | 第34-58页 |
| 3.1 引言 | 第34页 |
| 3.2 光刻套刻技术研究 | 第34-36页 |
| 3.2.1 光刻机系统简介 | 第34-35页 |
| 3.2.2 光刻机对准原理 | 第35-36页 |
| 3.2.3 套刻误差分析 | 第36页 |
| 3.3 光刻工艺流程 | 第36-49页 |
| 3.3.1 掩膜板设计 | 第37-41页 |
| 3.3.2 基片表面处理 | 第41页 |
| 3.3.3 光刻胶的选取 | 第41-42页 |
| 3.3.4 光刻胶旋涂及前烘 | 第42-43页 |
| 3.3.5 光刻曝光 | 第43-44页 |
| 3.3.6 显影 | 第44-45页 |
| 3.3.7 图形转移 | 第45-46页 |
| 3.3.8 套刻工艺 | 第46-48页 |
| 3.3.9 第二次图行转移 | 第48-49页 |
| 3.4 光刻工艺实验参数优化 | 第49-54页 |
| 3.4.1 光刻实验参数 | 第49页 |
| 3.4.2 曝光能量的优化 | 第49-51页 |
| 3.4.3 显影控制 | 第51-52页 |
| 3.4.4 套刻精度优化 | 第52-54页 |
| 3.5 反应离子刻蚀研究 | 第54-57页 |
| 3.5.1 反应离子刻蚀机理 | 第54页 |
| 3.5.2 各参数作用规律 | 第54-57页 |
| 3.5.3 刻蚀实验优化结果 | 第57页 |
| 3.6 本章小结 | 第57-58页 |
| 第4章 微纳紫外压印 | 第58-76页 |
| 4.1 引言 | 第58页 |
| 4.2 二元器件复制方法 | 第58-60页 |
| 4.2.1 纳米压印技术 | 第58-59页 |
| 4.2.2 模压技术 | 第59页 |
| 4.2.3 浇铸成型 | 第59-60页 |
| 4.3 紫外压印实验 | 第60-65页 |
| 4.3.1 基片预处理 | 第60页 |
| 4.3.2 压印胶选取及处理研究 | 第60-61页 |
| 4.3.3 压印胶旋涂及前烘 | 第61-62页 |
| 4.3.4 软膜倒印及紫外压印实验 | 第62-65页 |
| 4.4 图形转移研究 | 第65-70页 |
| 4.4.1 等比例刻蚀 | 第65-66页 |
| 4.4.2 掩膜层与基底分离刻蚀 | 第66-67页 |
| 4.4.3 图形转移实验 | 第67-70页 |
| 4.5 测试结果及误差分析 | 第70-74页 |
| 4.5.1 衍射效率定义 | 第70-71页 |
| 4.5.2 测量结果 | 第71-73页 |
| 4.5.3 误差分析 | 第73-74页 |
| 4.6 本章小结 | 第74-76页 |
| 结论 | 第76-77页 |
| 参考文献 | 第77-82页 |
| 致谢 | 第82页 |
