| 摘要 | 第4-6页 |
| abstract | 第6-8页 |
| 符号说明 | 第15-16页 |
| 第一章 绪论 | 第16-32页 |
| 1.1 热电效应简介 | 第16-18页 |
| 1.2 热电材料分类 | 第18-25页 |
| 1.2.1 合金热电材料 | 第18-20页 |
| 1.2.2 方钴矿型热电材料 | 第20-21页 |
| 1.2.3 氧化物热电材料 | 第21-24页 |
| 1.2.4 金属硅化物型热电材料 | 第24-25页 |
| 1.3 热电材料的制备方法 | 第25-29页 |
| 1.3.1 体型热电材料的制备方法 | 第25-27页 |
| 1.3.2 低维热电材料的制备方法 | 第27-29页 |
| 1.4 微型热电发电器的设计 | 第29-31页 |
| 1.4.1 热传导平行于薄膜平面方向热电发电器的设计 | 第29-30页 |
| 1.4.2 热传导垂直于薄膜平面方向热电发电器的设计 | 第30-31页 |
| 1.5 课题思路 | 第31-32页 |
| 第二章 实验部分 | 第32-38页 |
| 2.1 仪器及试剂 | 第32-33页 |
| 2.2 不同种类热电薄膜的制备 | 第33-34页 |
| 2.3 热电薄膜物性表征 | 第34-35页 |
| 2.4 制备热电薄膜相关电化学表征 | 第35-38页 |
| 第三章 纯相n型Bi_2Te_3热电薄膜材料的制备及表征 | 第38-48页 |
| 3.1 纯相n型Bi_2Te_3沉积体系沉积范围的确定 | 第38-40页 |
| 3.2 纯相n型Bi_2Te_3热电薄膜的制备及物性表征 | 第40-47页 |
| 3.2.1 不同微观形貌Bi-Te薄膜的可控制备 | 第40-42页 |
| 3.2.2 不同形貌薄膜的热电性能 | 第42-43页 |
| 3.2.3 纯相Bi_2Te_3热电薄膜的表征 | 第43-47页 |
| 3.3 本章小结 | 第47-48页 |
| 第四章 p型Bi-Te热电薄膜材料的制备及表征 | 第48-60页 |
| 4.1 p型Bi-Te热电薄膜沉积体系的确定 | 第48-54页 |
| 4.1.1 不同金属离子浓度镀液电化学行为的研究 | 第48-52页 |
| 4.1.2 不同金属离子浓度体系下制备热电薄膜的表征 | 第52-54页 |
| 4.2 p型热电薄膜的制备及性能表征 | 第54-59页 |
| 4.2.1 不同沉积电位对薄膜性能的影响 | 第54-57页 |
| 4.2.2 不同沉积时间对薄膜性能的影响 | 第57-59页 |
| 4.3 本章小结 | 第59-60页 |
| 第五章 Bi-Te基薄膜电沉积机理的研究 | 第60-72页 |
| 5.1 初期诱导欠电位析出过程的研究 | 第60-63页 |
| 5.1.1 Te~0析出诱导欠电位析出过程的研究 | 第61-62页 |
| 5.1.2 Bi~0析出诱导欠电位沉积过程研究 | 第62-63页 |
| 5.2 二元体系共沉积的稳定生长过程 | 第63-66页 |
| 5.3 制备p型薄膜的电镀液体系电沉积过程的讨论 | 第66-67页 |
| 5.4 优选电位下n/p薄膜形成过程对热电性能的优化 | 第67-71页 |
| 5.4.1 n型纯相体系优选电位下(-0.20 V)薄膜的生长过程 | 第67-69页 |
| 5.4.2 p型体系优选电位下(-0.25 V)薄膜的生长过程 | 第69-71页 |
| 5.5 本章小结 | 第71-72页 |
| 第六章 无模板法制备n型Bi-Te热电纳米阵列薄膜 | 第72-80页 |
| 6.1 Bi-Te热电纳米棒阵列薄膜的制备 | 第72-76页 |
| 6.2 纳米棒阵列薄膜的性能表征 | 第76-77页 |
| 6.3 无模板法制备Bi-Te热电纳米棒阵列的机理分析 | 第77-79页 |
| 6.4 本章小结 | 第79-80页 |
| 第七章 结论 | 第80-82页 |
| 参考文献 | 第82-88页 |
| 致谢 | 第88-90页 |
| 研究成果及发表的学术论文 | 第90-92页 |
| 作者及导师介绍 | 第92-94页 |
| 附件 | 第94-95页 |
