| 摘要 | 第4-6页 |
| Abstract | 第6-7页 |
| 第一章 绪论 | 第17-31页 |
| 1.1 太阳电池研究背景 | 第17-19页 |
| 1.2 CdTe薄膜太阳电池的结构 | 第19-23页 |
| 1.2.1 CdS薄膜制备方法 | 第20-21页 |
| 1.2.2 CdTe薄膜制备方法及研究进展 | 第21-23页 |
| 1.2.3 背电极 | 第23页 |
| 1.3 纳米线(棒)阵列异质结太阳电池 | 第23-28页 |
| 1.3.1 纳米线(棒)阵列异质结特点 | 第24页 |
| 1.3.2 Si纳米线太阳电池 | 第24-27页 |
| 1.3.3 CdTe/CdS纳米线太阳电池 | 第27-28页 |
| 1.4 论文研究的意义 | 第28-29页 |
| 1.5 主要研究内容和技术路线 | 第29-31页 |
| 1.5.1 主要研究内容 | 第29页 |
| 1.5.2 技术路线 | 第29-31页 |
| 第二章 实验条件及主要测试方法 | 第31-37页 |
| 2.1 实验试剂与仪器设备 | 第31-32页 |
| 2.2 材料形貌、结构及原子组成表征方法 | 第32-33页 |
| 2.2.1 场发射扫描电子显微镜(SEM)和X射线能谱仪(EDS) | 第32页 |
| 2.2.2 高分辨透射电子显微镜(HR-TEM) | 第32-33页 |
| 2.2.3 X射线衍射仪(XRD) | 第33页 |
| 2.2.4 拉曼光谱仪(Raman) | 第33页 |
| 2.2.5 X射线光电子能谱仪(XPS) | 第33页 |
| 2.3 材料光电性质表征方法 | 第33-34页 |
| 2.3.1 紫外-可见分光光度计(UV-vis) | 第33-34页 |
| 2.3.2 霍尔效应仪(Hall) | 第34页 |
| 2.3.3 太阳能模拟器 | 第34页 |
| 2.3.4 Keithley 2420 | 第34页 |
| 2.4 太阳电池伏安特性曲线及评价指标 | 第34-37页 |
| 第三章 CdS纳米薄膜的电沉积制备和表征 | 第37-47页 |
| 3.1 CdS纳米薄膜的电沉积工艺条件 | 第37页 |
| 3.2 CdS薄膜的恒电流法制备及表征 | 第37-43页 |
| 3.2.1 沉积电流的选择 | 第37-41页 |
| 3.2.2 沉积温度对CdS薄膜的影响 | 第41-43页 |
| 3.2.3 退火温度对CdS薄膜的影响 | 第43页 |
| 3.3 CdS薄膜的光学性质研究 | 第43-45页 |
| 3.4 CdS薄膜的电学性质研究 | 第45页 |
| 3.5 小结 | 第45-47页 |
| 第四章 CdTe/CdS二维异质结的电沉积制备及其光电性能研究 | 第47-59页 |
| 4.1 CdTe/CdS二维异质结的电沉积工艺条件 | 第47页 |
| 4.2 CdTe/CdS二维异质结的恒电位法制备及表征 | 第47-51页 |
| 4.2.1 沉积电位的选择 | 第47-50页 |
| 4.2.2 沉积时间对CdTe薄膜的影响 | 第50-51页 |
| 4.3 碳纳米管薄膜背电极的组装 | 第51-53页 |
| 4.3.1 碳纳米管薄膜的表征 | 第51-53页 |
| 4.3.2 碳纳米管薄膜的纯化、铺展及转移 | 第53页 |
| 4.4 CdTe/CdS二维异质结太阳电池的光电性能研究 | 第53-57页 |
| 4.4.1 光学性质研究 | 第53-54页 |
| 4.4.2 太阳电池的组装模型及能带图 | 第54-55页 |
| 4.4.3 太阳电池的光电性能研究 | 第55-57页 |
| 4.5 小结 | 第57-59页 |
| 第五章 CdS纳米棒阵列的一步水热法制备和表征 | 第59-77页 |
| 5.1 CdS纳米棒阵列的制备工艺 | 第59页 |
| 5.2 CdS纳米棒阵列的结构、形貌的调控 | 第59-72页 |
| 5.2.1 ITO导电玻璃放置方向对CdS形貌的影响 | 第59-60页 |
| 5.2.2 还原谷胱甘肽的浓度对CdS形貌的影响 | 第60-61页 |
| 5.2.3 反应温度对CdS形貌的影响 | 第61页 |
| 5.2.4 硫脲浓度的优化 | 第61-65页 |
| 5.2.5 反应时间对CdS形貌的影响 | 第65-68页 |
| 5.2.6 前驱体浓度对CdS纳米棒密度的影响 | 第68-70页 |
| 5.2.7 退火对CdS纳米棒结构和成分的影响 | 第70-72页 |
| 5.3 CdS纳米棒阵列光学性质的研究 | 第72-74页 |
| 5.4 CdS纳米棒阵列电学性质的研究 | 第74-75页 |
| 5.5 小结 | 第75-77页 |
| 第六章 CdTe/CdS三维纳米棒阵列异质结的电沉积制备及其光电性能研究 | 第77-97页 |
| 6.1 CdTe/CdS三维纳米棒阵列异质结的电沉积工艺条件 | 第77页 |
| 6.2 CdTe/CdS三维纳米棒阵列异质结的结构、形貌的调控 | 第77-86页 |
| 6.2.1 沉积电位的选择 | 第77-80页 |
| 6.2.2 沉积温度对CdTe薄膜的影响 | 第80-82页 |
| 6.2.3 沉积时间对CdTe/CdS异质结形貌的影响 | 第82-86页 |
| 6.3 CdCl_2热处理对CdTe表面状态的影响 | 第86-90页 |
| 6.4 CdTe/CdS三维纳米棒阵列异质结太阳电池的光电性质研究 | 第90-93页 |
| 6.4.1 光学性质研究 | 第90-91页 |
| 6.4.2 太阳电池的组装模型 | 第91页 |
| 6.4.3 太阳电池的光电性能研究 | 第91-93页 |
| 6.5 CdTe/CdS二维异质结和三维纳米棒阵列异质结太阳电池的光电性质比较 | 第93-95页 |
| 6.6 小结 | 第95-97页 |
| 第七章 总结论 | 第97-99页 |
| 参考文献 | 第99-105页 |
| 致谢 | 第105-107页 |
| 研究成果及发表的学术论文 | 第107-109页 |
| 作者与导师简介 | 第109-111页 |
| 附件 | 第111-112页 |
