| 缩略语表 | 第4-14页 |
| 摘要 | 第14-16页 |
| Abstract | 第16-18页 |
| 第一章 绪论 | 第19-43页 |
| 1.1 忆阻器概述 | 第19-31页 |
| 1.1.1 忆阻器的研究背景 | 第19-23页 |
| 1.1.2 忆阻器的内涵与特征 | 第23-29页 |
| 1.1.3 忆阻器的应用前景 | 第29-31页 |
| 1.2 忆阻器材料的研究进展 | 第31-36页 |
| 1.2.1 二元氧化物 | 第31-33页 |
| 1.2.2 固体电解质 | 第33页 |
| 1.2.3 单质类材料 | 第33-34页 |
| 1.2.4 氮化物 | 第34页 |
| 1.2.5 有机和聚合物材料 | 第34页 |
| 1.2.6 钙钛矿型复合氧化物 | 第34-36页 |
| 1.3 LSMO薄膜的研究现状 | 第36-40页 |
| 1.3.1 LSMO的结构与特性 | 第36-38页 |
| 1.3.2 LSMO薄膜的制备方法 | 第38-39页 |
| 1.3.3 LSMO薄膜的应用 | 第39-40页 |
| 1.4 论文的选题依据与研究内容 | 第40-43页 |
| 1.4.1 选题依据 | 第40-41页 |
| 1.4.2 研究内容 | 第41-43页 |
| 第二章 实验与表征方法 | 第43-52页 |
| 2.1 a-LSMO薄膜的沉积工艺 | 第43-44页 |
| 2.2 基于a-LSMO薄膜的忆阻器的制备方法 | 第44-46页 |
| 2.3 表征分析与特性测试 | 第46-52页 |
| 2.3.1 形貌分析 | 第46页 |
| 2.3.2 成分分析 | 第46-48页 |
| 2.3.3 结构分析 | 第48页 |
| 2.3.4 光学特性测试 | 第48-50页 |
| 2.3.5 电学特性测试 | 第50-52页 |
| 第三章a-LSMO薄膜的形成机理和微观状态调控 | 第52-68页 |
| 3.1 a-LSMO薄膜的形成机理研究 | 第52-59页 |
| 3.1.1 非晶态薄膜的形成条件 | 第52-53页 |
| 3.1.2 LSMO薄膜的生长过程 | 第53-57页 |
| 3.1.3 LSMO薄膜的电学和光学表征 | 第57-59页 |
| 3.2 a-LSMO薄膜的微观状态调控研究 | 第59-67页 |
| 3.2.1 溅射功率的影响 | 第59-61页 |
| 3.2.2 溅射气压的影响 | 第61-62页 |
| 3.2.3 氧分压的影响 | 第62-63页 |
| 3.2.4 靶材掺Sr量的影响 | 第63-64页 |
| 3.2.5 基片种类的影响 | 第64-66页 |
| 3.2.6 溅射时间的影响 | 第66-67页 |
| 3.3 本章小结 | 第67-68页 |
| 第四章 基于a-LSMO薄膜的忆阻器的阻变特性 | 第68-86页 |
| 4.1 基于a-LSMO薄膜的忆阻器的分析表征结果 | 第68-72页 |
| 4.1.1 成份分析 | 第68-69页 |
| 4.1.2 形貌表征 | 第69-70页 |
| 4.1.3 结构表征 | 第70-72页 |
| 4.2 基于a-LSMO薄膜的忆阻器的电阻开关特性 | 第72-80页 |
| 4.2.1 开关性能 | 第72-76页 |
| 4.2.2 单极特性 | 第76-78页 |
| 4.2.3 易失特性 | 第78-80页 |
| 4.3 基于a-LSMO薄膜的忆阻器的模拟型阻变特性 | 第80-84页 |
| 4.3.1 频率依赖特性 | 第80-82页 |
| 4.3.2 电阻渐变调节特性 | 第82-83页 |
| 4.3.3 脉冲循环稳定性 | 第83-84页 |
| 4.4 本章小结 | 第84-86页 |
| 第五章 基于a-LSMO薄膜的忆阻器的机理分析 | 第86-125页 |
| 5.1 忆阻器的阻变机理介绍 | 第86-90页 |
| 5.1.1 离子效应 | 第86-88页 |
| 5.1.2 电子效应 | 第88-89页 |
| 5.1.3 热效应 | 第89-90页 |
| 5.2 基于a-LSMO薄膜的忆阻器的阻变机理 | 第90-114页 |
| 5.2.1 机理提出的实验依据 | 第90-97页 |
| 5.2.2 电阻开关特性的机理 | 第97-112页 |
| 5.2.3 模拟型阻变特性的机理 | 第112-114页 |
| 5.3 a-LSMO薄膜微观状态对阻变特性的影响机理 | 第114-123页 |
| 5.3.1 薄膜聚集密度 | 第114-118页 |
| 5.3.2 薄膜结晶状态 | 第118-119页 |
| 5.3.3 薄膜掺Sr量 | 第119-120页 |
| 5.3.4 薄膜厚度 | 第120-122页 |
| 5.3.5 薄膜表面粗糙度 | 第122-123页 |
| 5.4 本章小结 | 第123-125页 |
| 第六章 基于a-LSMO薄膜的三种其它结构忆阻器 | 第125-142页 |
| 6.1 以ITO为底电极的忆阻器 | 第125-130页 |
| 6.1.1 器件制备与表征 | 第125-127页 |
| 6.1.2 阻变性能分析 | 第127-130页 |
| 6.2 AAO掩模法制备的纳米忆阻器 | 第130-135页 |
| 6.2.1 器件制备与表征 | 第131-133页 |
| 6.2.2 阻变性能分析 | 第133-135页 |
| 6.3 微米交叉杆结构忆阻器 | 第135-140页 |
| 6.3.1 器件制备与表征 | 第135-138页 |
| 6.3.2 阻变性能分析 | 第138-140页 |
| 6.4 本章小结 | 第140-142页 |
| 第七章 结论与展望 | 第142-146页 |
| 7.1 全文主要结论 | 第142-144页 |
| 7.2 论文创新点 | 第144页 |
| 7.3 后续工作展望 | 第144-146页 |
| 致谢 | 第146-148页 |
| 参考文献 | 第148-172页 |
| 作者在学期间取得的学术成果 | 第172-173页 |
