金属氧化物气敏传感器的稳定性与一致性研究
| 摘要 | 第4-5页 |
| Abstract | 第5页 |
| 1 绪论 | 第9-24页 |
| 1.1 前言 | 第9-10页 |
| 1.2 半导体气敏传感器的分类及工作原理 | 第10-14页 |
| 1.2.1 半导体气敏传感器的分类 | 第10-12页 |
| 1.2.2 半导体气敏传感器的原理 | 第12-13页 |
| 1.2.3 MOS 气敏传感器主要参数简介 | 第13-14页 |
| 1.3 半导体气敏传感器的稳定性与一致性研究现状 | 第14-21页 |
| 1.3.1 半导体气敏传感器稳定性的研究现状 | 第14-18页 |
| 1.3.2 提高气敏传感器稳定性的办法 | 第18-21页 |
| 1.3.3 一致性研究现状 | 第21页 |
| 1.4 稳定性与一致性研究 | 第21-23页 |
| 1.4.1 气敏膜的稳定性研究 | 第21-22页 |
| 1.4.2 气敏膜的一致性研究 | 第22-23页 |
| 1.5 本课题的研究目的及内容 | 第23-24页 |
| 2 SiO_2制备及其稳定尺寸的效果 | 第24-35页 |
| 2.1 前言 | 第24页 |
| 2.2 实验方案 | 第24页 |
| 2.3 纳米 ZnO 的制备 | 第24-25页 |
| 2.4 制备纳米 SiO_2 | 第25-28页 |
| 2.4.1 制备方法概述 | 第25-26页 |
| 2.4.2 SiO_2溶胶制备工艺 | 第26页 |
| 2.4.3 SiO_2溶胶的表征 | 第26-28页 |
| 2.5 烧结实验及材料表征 | 第28-34页 |
| 2.5.1 烧结实验 | 第28页 |
| 2.5.2 材料形貌表征 | 第28-34页 |
| 2.6 小结 | 第34-35页 |
| 3 MOS 气敏传感器稳定性研究 | 第35-61页 |
| 3.1 引言 | 第35页 |
| 3.2 稳定性评价标准 | 第35页 |
| 3.3 实验方案 | 第35-36页 |
| 3.4 材料制备 | 第36-37页 |
| 3.4.1 纳米 WO3的制备 | 第36页 |
| 3.4.2 纳米 In2O3的制备 | 第36-37页 |
| 3.5 器件制备 | 第37-42页 |
| 3.5.1 气敏浆料制备 | 第37页 |
| 3.5.2 丝网印刷，烧结 | 第37-40页 |
| 3.5.3 划片，器件封装 | 第40-42页 |
| 3.6 稳定性测试 | 第42-60页 |
| 3.6.1 稳定性测试原理 | 第42-43页 |
| 3.6.2 稳定性一致性测试平台 | 第43-46页 |
| 3.6.3 稳定性实验方案 | 第46-47页 |
| 3.6.4 器件寿命及结果分析 | 第47-52页 |
| 3.6.5 敏感值波动性及分析 | 第52-60页 |
| 3.7 小结 | 第60-61页 |
| 4 MOS 气敏传感器一致性研究 | 第61-70页 |
| 4.1 引言 | 第61页 |
| 4.2 一致性评价标准 | 第61-62页 |
| 4.3 实验方案 | 第62-64页 |
| 4.3.1 器件印刷实验 | 第63-64页 |
| 4.3.2 器件位置偏差 | 第64页 |
| 4.4 一致性测试 | 第64-65页 |
| 4.5 一致性测试结果及分析 | 第65-69页 |
| 4.6 小结 | 第69-70页 |
| 5 全文总结 | 第70-72页 |
| 致谢 | 第72-73页 |
| 参考文献 | 第73-78页 |
| 附录 1 攻读硕士学位期间发表的论文 | 第78页 |
