不同金属电极对非晶铟镓锌氧化物晶体管接触电阻的影响及分析
| 摘要 | 第2-3页 |
| ABSTRACT | 第3页 |
| 第一章 绪论 | 第6-14页 |
| 1.1 前言 | 第6-9页 |
| 1.2 IGZO-TFT 的研究进展 | 第9-12页 |
| 1.3 本论文的主要研究内容和研究意义 | 第12-14页 |
| 第二章 实验原理 | 第14-35页 |
| 2.1 IGZO-TFT 的结构与工作原理 | 第14-18页 |
| 2.2 影响器件性能的因素 | 第18-22页 |
| 2.2.1 器件结构对器件性能的影响 | 第18-19页 |
| 2.2.2 绝缘栅材料对器件性能的影响 | 第19-20页 |
| 2.2.3 金属电极对器件性能的影响 | 第20-21页 |
| 2.2.4 其他因素对器件性能的影响 | 第21-22页 |
| 2.3 器件制备装置及其工作原理 | 第22-25页 |
| 2.4 器件表征方法及原理 | 第25-31页 |
| 2.4.1 薄膜的厚度 | 第25-26页 |
| 2.4.2 薄膜透射率 | 第26-27页 |
| 2.4.3 薄膜的电学性能 | 第27-28页 |
| 2.4.4 薄膜的结构特性 | 第28-31页 |
| 2.5 IGZO-TFT 的性能参数 | 第31-35页 |
| 2.5.1 阈值电压 Vth | 第32-33页 |
| 2.5.2 场效应迁移率μn | 第33页 |
| 2.5.3 电流开关比 Ion/Ioff | 第33页 |
| 2.5.4 亚阈值摆幅 S | 第33-35页 |
| 第三章 实验步骤与方法 | 第35-40页 |
| 3.1 实验流程图 | 第35页 |
| 3.2 IGZO-TFT 的制作 | 第35-37页 |
| 3.2.1 器件结构的选择 | 第36页 |
| 3.2.2 绝缘栅材料的选择 | 第36-37页 |
| 3.3 有源层的两种制作方法 | 第37-39页 |
| 3.3.1 磁控溅射法制作有源层 | 第37-38页 |
| 3.3.2 溶液法制作有源层 | 第38-39页 |
| 3.4 选用不同的金属作为源极和漏极 | 第39-40页 |
| 第四章 实验结果讨论与分析 | 第40-52页 |
| 4.1 溶液法制备的 IGZO 薄膜 | 第40-42页 |
| 4.2 磁控溅射法制备的 IGZO 薄膜 | 第42-45页 |
| 4.2.1 薄膜的均匀性 | 第42-44页 |
| 4.2.2 薄膜的结构特性 | 第44-45页 |
| 4.3 不同金属电极性能测试分析 | 第45-52页 |
| 4.3.1 接触电阻与金属功函数分析 | 第45-48页 |
| 4.3.2 退火前后器件 I-V 特性分析 | 第48-49页 |
| 4.3.3 退火温度对接触电阻的影响 | 第49-52页 |
| 第五章 结论与未来展望 | 第52-54页 |
| 5.1 结论 | 第52页 |
| 5.2 TFT 器件和显示技术的进展与展望 | 第52-54页 |
| 参考文献 | 第54-57页 |
| 发表论文和参加科研情况 | 第57-58页 |
| 致谢 | 第58页 |
