| 摘要 | 第5-6页 |
| Abstract | 第6-7页 |
| 第一章 绪论 | 第10-23页 |
| 1.1 引言 | 第10页 |
| 1.2 稀磁半导体简介 | 第10-15页 |
| 1.3 AlN 半导体材料的研究概述 | 第15-21页 |
| 1.4 本论文的研究意义及主要内容 | 第21-23页 |
| 第二章 材料的制备和表征 | 第23-30页 |
| 2.1 薄膜材料的制备 | 第23-26页 |
| 2.2 材料表征 | 第26-30页 |
| 第三章 Ni 掺杂 AlN 薄膜的制备和性能研究 | 第30-44页 |
| 3.1 气体流量对 Al_(1-x)Ni_xN 薄膜性能影响 | 第30-36页 |
| 3.2 Ni 掺杂浓度对 Al_(1-x)Ni_xN 薄膜性能影响 | 第36-43页 |
| 3.3 本章小结 | 第43-44页 |
| 第四章 Cu 掺杂 AlN 薄膜的制备和性能研究 | 第44-47页 |
| 4.1 Al_(1-x)Ni_xN 薄膜结构分析 | 第45页 |
| 4.2 Al_(1-x)Ni_xN 薄膜磁性能分析 | 第45-46页 |
| 4.3 本章小结 | 第46-47页 |
| 第五章 退火处理对掺杂 AlN 薄膜样品的性能研究 | 第47-61页 |
| 5.1 退火处理对 Ni 掺杂 AlN 薄膜性能的影响 | 第47-52页 |
| 5.2 退火处理对 Cu 掺杂 AlN 薄膜性能的影响 | 第52-60页 |
| 5.3 本章小结 | 第60-61页 |
| 第六章 结论 | 第61-62页 |
| 参考文献 | 第62-71页 |
| 攻读博士/硕士学位期间取得的研究成果 | 第71-72页 |
| 致谢 | 第72-73页 |
| 附件 | 第73页 |
