| 摘要 | 第3-4页 |
| Abstract | 第4-5页 |
| 1 绪论 | 第11-17页 |
| 1.1 论文研究背景 | 第11-12页 |
| 1.2 国内外研究现状 | 第12-14页 |
| 1.3 论文研究意义与研究内容 | 第14-15页 |
| 1.3.1 论文研究意义 | 第14-15页 |
| 1.3.2 论文研究内容 | 第15页 |
| 1.4 论文的结构安排 | 第15-17页 |
| 2 纳米球的合成工艺研究 | 第17-29页 |
| 2.1 改进的St?ber法合成SiO_2纳米球工艺研究 | 第17-20页 |
| 2.1.1 实验原理与方法 | 第17-18页 |
| 2.1.2 合成SiO_2纳米球所需的实验药品 | 第18页 |
| 2.1.3 合成SiO_2纳米球所需的实验仪器 | 第18-19页 |
| 2.1.4 直径350nmSiO_2纳米合成实验 | 第19-20页 |
| 2.1.5 任意直径SiO_2纳米合成实验 | 第20页 |
| 2.2 合成SiO_2纳米球的表征分析 | 第20-25页 |
| 2.2.1 表面形貌的SEM分析 | 第20-23页 |
| 2.2.2 物质成分与晶体结构的XRD分析 | 第23-25页 |
| 2.3 影响SiO_2纳米球合成的因素分析 | 第25-28页 |
| 2.4 本章小结 | 第28-29页 |
| 3 自组装法制备半导体材料表面掩膜层的工艺研究 | 第29-37页 |
| 3.1 Si衬底掩膜层的制备 | 第29-32页 |
| 3.1.1 垂直沉积法制备Si衬底掩膜层 | 第29-31页 |
| 3.1.2 旋涂法制备Si衬底掩膜层 | 第31-32页 |
| 3.1.3 两种制备Si掩膜层方法的比较 | 第32页 |
| 3.2 GaAs衬底掩膜层的制备 | 第32-36页 |
| 3.2.1 垂直沉积法制备GaAs衬底掩膜层 | 第32-34页 |
| 3.2.2 旋涂法制备GaAs衬底掩膜层 | 第34-35页 |
| 3.2.3 水气界面自组装法制备GaAs衬底掩膜层 | 第35-36页 |
| 3.2.4 三种方法制备GaAs衬底掩膜层方法的比较 | 第36页 |
| 3.3 本章小结 | 第36-37页 |
| 4 半导体材料纳米阵列结构的制备 | 第37-63页 |
| 4.1 常用纳米阵列结构制备方法 | 第37页 |
| 4.2 Si基纳米阵列结构的制备工艺研究 | 第37-51页 |
| 4.2.1 ICP刻蚀原理及设备 | 第37-39页 |
| 4.2.2 Si基纳米阵列结构的制备 | 第39-45页 |
| 4.2.3 Si基纳米阵列结构形貌分析 | 第45-50页 |
| 4.2.4 清洗处理的Si基纳米阵列结构形貌分析 | 第50-51页 |
| 4.3 GaAs基纳米阵列结构的制备工艺研究 | 第51-59页 |
| 4.3.1 GaAs基纳米阵列结构刻蚀原理 | 第51-52页 |
| 4.3.2 GaAs基纳米阵列结构制备工艺流程 | 第52-53页 |
| 4.3.3 GaAs基纳米阵列结构形貌分析 | 第53-59页 |
| 4.4 半导体材料纳米阵列结构的光学特性测试 | 第59-62页 |
| 4.4.1 Si纳米阵列结构光学测试结果与分析 | 第59-60页 |
| 4.4.2 GaAs纳米阵列结构光学测试结果与分析 | 第60-62页 |
| 4.5 本章小结 | 第62-63页 |
| 5 结论与展望 | 第63-65页 |
| 5.1 总结 | 第63-64页 |
| 5.2 展望 | 第64-65页 |
| 致谢 | 第65-67页 |
| 参考文献 | 第67-70页 |
