高速调制半导体激光器的微波封装与测量研究
| 致谢 | 第4-5页 |
| 摘要 | 第5-6页 |
| Abstract | 第6页 |
| 第1章 绪论 | 第9-16页 |
| 1.1 高速调制激光器技术概述 | 第9-10页 |
| 1.2 高速调制激光器研究现状 | 第10-14页 |
| 1.2.1 反馈增强技术 | 第10-11页 |
| 1.2.2 啁啾管理激光器(CML)技术 | 第11-12页 |
| 1.2.3 被动反馈激光器(PFL)技术 | 第12-14页 |
| 1.2.4 Q调制激光器技术 | 第14页 |
| 1.3 本文内容提要 | 第14-16页 |
| 第2章 半导体激光器的微波电路模型 | 第16-28页 |
| 2.1 半导体激光器的本征模型 | 第16-19页 |
| 2.2 半导体激光器的芯片模型 | 第19-28页 |
| 2.2.1 集总参数模型分析 | 第20-22页 |
| 2.2.2 分布参数模型分析 | 第22-28页 |
| 第3章 半导体激光器的微波参数提取 | 第28-53页 |
| 3.1 微波参数提取的原理与系统 | 第28-34页 |
| 3.1.1 参数提取的目的及封装模型分析 | 第28-31页 |
| 3.1.2 测试系统及参数提取流程概述 | 第31-34页 |
| 3.2 测量系统的校准 | 第34-38页 |
| 3.2.1 同轴端校准 | 第35页 |
| 3.2.2 微波探针的单端口校准 | 第35-38页 |
| 3.3 参数提取方法与流程 | 第38-47页 |
| 3.4 激光器本征参数的计算 | 第47-53页 |
| 第4章 氮化铝高速热沉的制作工艺和性能测量 | 第53-68页 |
| 4.1 高速热沉的材料特性 | 第53-56页 |
| 4.1.1 陶瓷基板 | 第54页 |
| 4.1.2 电阻材料 | 第54-55页 |
| 4.1.3 金属化体系 | 第55-56页 |
| 4.2 氮化铝热沉的制作 | 第56-65页 |
| 4.2.1 工艺流程介绍 | 第56-58页 |
| 4.2.2 光刻工艺 | 第58-61页 |
| 4.2.3 溅射工艺 | 第61-64页 |
| 4.2.4 剥离及退火工艺 | 第64-65页 |
| 4.3 氮化铝热沉的测试 | 第65-68页 |
| 4.3.1 电路图形及其解理 | 第65-66页 |
| 4.3.2 电学特性的测量 | 第66-68页 |
| 第5章 半导体激光器系统的大信号测试 | 第68-79页 |
| 5.1 传输性能测试概述 | 第68-71页 |
| 5.1.1 误码率与Q值关系 | 第68-69页 |
| 5.1.2 Q值与信号质量关系 | 第69-70页 |
| 5.1.3 发射机传输特性评价 | 第70-71页 |
| 5.2 CML技术概述 | 第71-73页 |
| 5.2.1 直接调制激光器啁啾特性 | 第71-72页 |
| 5.2.2 啁啾管理激光器(CML)原理 | 第72-73页 |
| 5.3 CML传输测试 | 第73-79页 |
| 5.3.1 深亚微米槽单模FP激光器介绍 | 第73-74页 |
| 5.3.2 基于CML的实验系统 | 第74-75页 |
| 5.3.3 测量结果及其分析 | 第75-79页 |
| 第6章 总结与展望 | 第79-81页 |
| 6.1 内容总结 | 第79页 |
| 6.2 创新性工作 | 第79-80页 |
| 6.3 未来工作展望 | 第80-81页 |
| 参考文献 | 第81-85页 |
| 作者简历 | 第85页 |
