直拉单晶温度场中一维受控模型辨识及其模态控制
| 中文摘要 | 第3-4页 |
| Abstract | 第4-5页 |
| 第一章 绪论 | 第8-13页 |
| 1.1 选题背景及意义 | 第8-9页 |
| 1.2 研究现状 | 第9-10页 |
| 1.3 本文主要工作和结构安排 | 第10-13页 |
| 1.3.1 本文的主要工作 | 第10-11页 |
| 1.3.2 文章的组织结构 | 第11-13页 |
| 第二章 结晶的过程分析和模型建立 | 第13-24页 |
| 2.1 单晶硅生产数据分析 | 第13-14页 |
| 2.2 二维晶体生长模型 | 第14-20页 |
| 2.2.1 生长过程和温度梯度分析 | 第14-16页 |
| 2.2.2 生长率 | 第16-17页 |
| 2.2.3 生长率与拉速的关系 | 第17-19页 |
| 2.2.4 直径与功率的关系 | 第19-20页 |
| 2.3 一维热路径 | 第20-21页 |
| 2.4 建立一维分布参数系统 | 第21-22页 |
| 2.5 本章小结 | 第22-24页 |
| 第三章 系统辨识方法研究 | 第24-35页 |
| 3.1 基本方法认识 | 第24-27页 |
| 3.1.1 伽辽金法 | 第24-25页 |
| 3.1.2 K-L分解法 | 第25-26页 |
| 3.1.3 特征值分解 | 第26-27页 |
| 3.1.4 奇异值分解 | 第27页 |
| 3.2 KL-SVD法 | 第27-34页 |
| 3.2.1 方法的有效性 | 第28-29页 |
| 3.2.2 方程的基函数表示 | 第29-33页 |
| 3.2.3 核函数的识别 | 第33-34页 |
| 3.3 本章小结 | 第34-35页 |
| 第四章 前馈与反馈控制 | 第35-41页 |
| 4.1 方法概述 | 第35页 |
| 4.2 控制过程的分析 | 第35-38页 |
| 4.2.1 前馈-反馈控制框架 | 第35-37页 |
| 4.2.2 详述控制子系统 | 第37-38页 |
| 4.3 模态控制结构 | 第38-39页 |
| 4.4 控制器的设计 | 第39-40页 |
| 4.5 本章小结 | 第40-41页 |
| 第五章 实验结果分析 | 第41-52页 |
| 5.1 直径补偿 | 第42-43页 |
| 5.2 输入输出数据处理 | 第43-48页 |
| 5.3 控制结果 | 第48-51页 |
| 5.4 本章小结 | 第51-52页 |
| 第六章 结论和展望 | 第52-54页 |
| 6.1 主要结论 | 第52-53页 |
| 6.2 研究展望 | 第53-54页 |
| 参考文献 | 第54-58页 |
| 在学期间的研究成果 | 第58-59页 |
| 致谢 | 第59页 |
