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尺寸可控硅纳米晶的变温椭圆偏振光谱研究

摘要第5-6页
Abstract第6页
第一章 绪论第7-14页
    1.1 硅纳米晶的研究背景第8-9页
        1.1.1 硅纳米晶的研究历史及现状第8页
        1.1.2 硅纳米晶的基本性质第8-9页
        1.1.3 硅纳米晶的应用第9页
    1.2 薄膜的检测方法第9-12页
        1.2.1 薄膜检测分类第9-10页
        1.2.2 椭圆偏振光谱测量技术第10-12页
    1.3 色散模型第12-13页
        1.3.1 固体的经典色散模型第12页
        1.3.2 洛伦兹色散模型第12-13页
    1.4 本论文工作概述第13-14页
        1.4.1 研究目的和意义第13页
        1.4.2 论文工作介绍第13-14页
第二章 椭偏测量原理及变温系统的研制第14-30页
    2.1 光的偏振特性第14-17页
        2.1.1 偏振光的分类第14-15页
        2.1.2 固体材料的光学性质及其与光学常数的关系第15-17页
    2.2 薄膜光学常数的椭偏光学测量和分析第17-21页
        2.2.1 体材料样品的椭偏测量基本原理第17-18页
        2.2.2 椭偏参数的实验获得第18-21页
    2.3 变温系统研制第21-26页
        2.3.1 主要实验仪器及设备第21-24页
        2.3.2 温控系统基本使用操作第24-26页
    2.4 嵌埋在SiO_2中的nc-Si的变温椭偏测量第26-28页
        2.4.1 硅纳米晶样品介绍第26-27页
        2.4.2 椭偏测量操作第27-28页
        2.4.3 椭偏测量结果第28页
    2.5 小结第28-30页
第三章 椭偏数据拟合及分析第30-45页
    3.1 光学常数的色散理论第30-34页
        3.1.1 洛伦兹色散模型第31-33页
        3.1.2 Sellmeier和Cauchy模型第33页
        3.1.3 Tauc-Lorentz模型第33页
        3.1.4 Drude模型第33-34页
        3.1.5 Kramers-Kronig关系第34页
        3.1.6 Maxwell-Garnett有效介质近似(EMA)模型第34页
    3.2 光吸收理论第34-38页
        3.2.1 直接跃迁第35-36页
        3.2.2 间接跃迁第36-37页
        3.2.3 准直接跃迁第37-38页
    3.3 嵌埋在SiO_2中的nc-Si的光学性质第38-44页
        3.3.1 四振子洛伦兹模型第38-41页
        3.3.2 EMA有效介质近似模型第41页
        3.3.3 温度对不同尺寸硅纳米晶光学性质的影响第41-43页
        3.3.4 硅纳米晶光学温度特性分析第43-44页
    3.4 小结第44-45页
第四章 薄膜材料的光学常数温度变化特性第45-51页
    4.1 温度与材料光学性质理论基础第45-48页
        4.1.1 介电常数的温度响应第45-46页
        4.1.2 禁带宽度的温度响应第46页
        4.1.3 热膨胀效应和电声子相互作用第46-48页
    4.2 不同尺寸硅纳米晶光学常数的温度变化特性第48-49页
        4.2.1 硅纳米晶的E_1临界点第48页
        4.2.2 E_1临界点的温度稳定性第48-49页
    4.3 小结第49-51页
第五章 论文工作总结第51-53页
参考文献第53-57页
附:攻读硕士学位期间学术成果第57-58页
致谢第58-60页

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