| 摘要 | 第5-6页 |
| Abstract | 第6页 |
| 第一章 绪论 | 第7-14页 |
| 1.1 硅纳米晶的研究背景 | 第8-9页 |
| 1.1.1 硅纳米晶的研究历史及现状 | 第8页 |
| 1.1.2 硅纳米晶的基本性质 | 第8-9页 |
| 1.1.3 硅纳米晶的应用 | 第9页 |
| 1.2 薄膜的检测方法 | 第9-12页 |
| 1.2.1 薄膜检测分类 | 第9-10页 |
| 1.2.2 椭圆偏振光谱测量技术 | 第10-12页 |
| 1.3 色散模型 | 第12-13页 |
| 1.3.1 固体的经典色散模型 | 第12页 |
| 1.3.2 洛伦兹色散模型 | 第12-13页 |
| 1.4 本论文工作概述 | 第13-14页 |
| 1.4.1 研究目的和意义 | 第13页 |
| 1.4.2 论文工作介绍 | 第13-14页 |
| 第二章 椭偏测量原理及变温系统的研制 | 第14-30页 |
| 2.1 光的偏振特性 | 第14-17页 |
| 2.1.1 偏振光的分类 | 第14-15页 |
| 2.1.2 固体材料的光学性质及其与光学常数的关系 | 第15-17页 |
| 2.2 薄膜光学常数的椭偏光学测量和分析 | 第17-21页 |
| 2.2.1 体材料样品的椭偏测量基本原理 | 第17-18页 |
| 2.2.2 椭偏参数的实验获得 | 第18-21页 |
| 2.3 变温系统研制 | 第21-26页 |
| 2.3.1 主要实验仪器及设备 | 第21-24页 |
| 2.3.2 温控系统基本使用操作 | 第24-26页 |
| 2.4 嵌埋在SiO_2中的nc-Si的变温椭偏测量 | 第26-28页 |
| 2.4.1 硅纳米晶样品介绍 | 第26-27页 |
| 2.4.2 椭偏测量操作 | 第27-28页 |
| 2.4.3 椭偏测量结果 | 第28页 |
| 2.5 小结 | 第28-30页 |
| 第三章 椭偏数据拟合及分析 | 第30-45页 |
| 3.1 光学常数的色散理论 | 第30-34页 |
| 3.1.1 洛伦兹色散模型 | 第31-33页 |
| 3.1.2 Sellmeier和Cauchy模型 | 第33页 |
| 3.1.3 Tauc-Lorentz模型 | 第33页 |
| 3.1.4 Drude模型 | 第33-34页 |
| 3.1.5 Kramers-Kronig关系 | 第34页 |
| 3.1.6 Maxwell-Garnett有效介质近似(EMA)模型 | 第34页 |
| 3.2 光吸收理论 | 第34-38页 |
| 3.2.1 直接跃迁 | 第35-36页 |
| 3.2.2 间接跃迁 | 第36-37页 |
| 3.2.3 准直接跃迁 | 第37-38页 |
| 3.3 嵌埋在SiO_2中的nc-Si的光学性质 | 第38-44页 |
| 3.3.1 四振子洛伦兹模型 | 第38-41页 |
| 3.3.2 EMA有效介质近似模型 | 第41页 |
| 3.3.3 温度对不同尺寸硅纳米晶光学性质的影响 | 第41-43页 |
| 3.3.4 硅纳米晶光学温度特性分析 | 第43-44页 |
| 3.4 小结 | 第44-45页 |
| 第四章 薄膜材料的光学常数温度变化特性 | 第45-51页 |
| 4.1 温度与材料光学性质理论基础 | 第45-48页 |
| 4.1.1 介电常数的温度响应 | 第45-46页 |
| 4.1.2 禁带宽度的温度响应 | 第46页 |
| 4.1.3 热膨胀效应和电声子相互作用 | 第46-48页 |
| 4.2 不同尺寸硅纳米晶光学常数的温度变化特性 | 第48-49页 |
| 4.2.1 硅纳米晶的E_1临界点 | 第48页 |
| 4.2.2 E_1临界点的温度稳定性 | 第48-49页 |
| 4.3 小结 | 第49-51页 |
| 第五章 论文工作总结 | 第51-53页 |
| 参考文献 | 第53-57页 |
| 附：攻读硕士学位期间学术成果 | 第57-58页 |
| 致谢 | 第58-60页 |
