| 摘要 | 第4-5页 |
| ABSTRACT | 第5页 |
| 第1章 绪论 | 第9-18页 |
| 1.1 课题研究背景 | 第9-10页 |
| 1.2 无机半导体存储器概况 | 第10-12页 |
| 1.2.1 传统硅基半导体存储器 | 第10页 |
| 1.2.2 新型无机半导体存储器 | 第10-12页 |
| 1.3 有机双稳态存储器介绍 | 第12-17页 |
| 1.3.1 有机双稳态器件的基本特征 | 第12-13页 |
| 1.3.2 一次写入可多次读出有机存储器 | 第13-14页 |
| 1.3.3 多次读写非易失性有机存储器件 | 第14-16页 |
| 1.3.4 基于扫瞄探针技术(SPM)的有机存储 | 第16-17页 |
| 1.4 研究思路和本文工作 | 第17-18页 |
| 第2章 有机电双稳存储器的工作原理 | 第18-29页 |
| 2.1 常见有机半导体材料 | 第18-19页 |
| 2.2 器件内的电流传输模式 | 第19-21页 |
| 2.2.1 弹道传输 | 第19页 |
| 2.2.2 肖特基发射 | 第19-20页 |
| 2.2.3 Fowler-Nordheim隧穿 | 第20页 |
| 2.2.4 普尔-法兰克发射 | 第20-21页 |
| 2.2.5 空间电荷限制电流(SCLC) | 第21页 |
| 2.3 有机存储器的存储机制 | 第21-24页 |
| 2.3.1 丝状金属导电通道模型 | 第21-22页 |
| 2.3.2 电荷转移络合物模型 | 第22页 |
| 2.3.3 晶体结构或分子结构变化 | 第22-23页 |
| 2.3.4 金属/有机界面及介质内电荷俘获与释放 | 第23-24页 |
| 2.4 基于金属纳米粒子诱捕电荷的器件 | 第24-28页 |
| 2.5 小结 | 第28-29页 |
| 第3章 实验方法 | 第29-35页 |
| 3.1 实验方法概述 | 第29页 |
| 3.2 实验用材料 | 第29-30页 |
| 3.2.1 实验用材料 | 第29-30页 |
| 3.2.2 实验用有机分子材料及溶剂 | 第30页 |
| 3.3 实验仪器与设备 | 第30-31页 |
| 3.4 薄膜生长及器件的制备工艺 | 第31-33页 |
| 3.4.1 真空蒸镀工艺 | 第31页 |
| 3.4.2 有机小分子提纯 | 第31-32页 |
| 3.4.3 器件制备 | 第32-33页 |
| 3.5 测试方法及仪器 | 第33-35页 |
| 第4章 PMMA：C_(60)薄膜的制备及表面形貌 | 第35-40页 |
| 4.1 引言 | 第35页 |
| 4.2 薄膜制备和表征 | 第35-36页 |
| 4.3 有机溶剂和不同基底对薄膜表面形貌的影响 | 第36-39页 |
| 4.3.1 不同基底的薄膜的表面形貌 | 第36-38页 |
| 4.3.2 不同溶剂对薄膜表面形貌的影响 | 第38-39页 |
| 4.4 小结 | 第39-40页 |
| 第5章 ITO/PMMA：C_(60)/Al结构器件的电双稳态特性 | 第40-47页 |
| 5.1 器件制备 | 第40-41页 |
| 5.2 器件的电双稳态特性分析 | 第41-46页 |
| 5.2.1 器件的I-V特性曲线 | 第41-42页 |
| 5.2.2 有机功能层表面形貌对器件双稳态特性的影响 | 第42-43页 |
| 5.2.3 器件的导电模型 | 第43-44页 |
| 5.2.4 器件双稳态特性的形成机制 | 第44-46页 |
| 5.3 小结 | 第46-47页 |
| 第6章 总结与展望 | 第47-49页 |
| 6.1 工作总结 | 第47页 |
| 6.2 工作展望 | 第47-49页 |
| 参考文献 | 第49-56页 |
| 攻读学位期间主要的研究成果目录 | 第56-57页 |
| 致谢 | 第57页 |
