| 摘要 | 第3-4页 |
| Abstract | 第4-5页 |
| 第1章 绪论 | 第8-33页 |
| 1.1 引言 | 第8-9页 |
| 1.2 拓扑绝缘体 | 第9-15页 |
| 1.2.1 能带反转和体-边界联系 | 第9-12页 |
| 1.2.2 拓扑不变量 | 第12-15页 |
| 1.2.3 对称性保护 | 第15页 |
| 1.3 拓扑晶体绝缘体SnTe | 第15-28页 |
| 1.3.1 拓扑晶体绝缘体概念 | 第15-16页 |
| 1.3.2 SnTe和镜面陈数 | 第16-18页 |
| 1.3.3 k · p理论 | 第18-19页 |
| 1.3.4 拓扑表面态 | 第19-26页 |
| 1.3.5 拓扑晶体绝缘体的一些其它性质 | 第26-28页 |
| 1.4 狄拉克费米子的一些输运性质 | 第28-32页 |
| 1.4.1 手性隧穿和Klein佯谬 | 第28-30页 |
| 1.4.2 负折射和电子聚焦 | 第30-32页 |
| 1.5 论文内容安排 | 第32-33页 |
| 第2章 理论方法 | 第33-42页 |
| 2.1 引言 | 第33页 |
| 2.2 波恩-奥本海默近似 | 第33-35页 |
| 2.3 Hartree-Fock近似 | 第35-36页 |
| 2.4 密度泛函理论 | 第36-41页 |
| 2.4.1 Hohenberg-Kohn定理 | 第36-37页 |
| 2.4.2 Kohn-Sham方程 | 第37-38页 |
| 2.4.3 交换关联泛函 | 第38-40页 |
| 2.4.4 平面波和赝势方法 | 第40页 |
| 2.4.5 Kohn-Sham方程的求解 | 第40-41页 |
| 2.5 本章小结 | 第41-42页 |
| 第3章 SnTe的(111)表面稳定性及拓扑表面态 | 第42-55页 |
| 3.1 引言 | 第42-43页 |
| 3.2 计算模型和方法 | 第43-45页 |
| 3.2.1 表面自由能 | 第43-44页 |
| 3.2.2 计算模型和参数 | 第44-45页 |
| 3.3 结果和讨论 | 第45-53页 |
| 3.3.1 SnTe(111)表面结构及稳定性 | 第45-48页 |
| 3.3.2 未重构和H吸附的表面能带 | 第48-50页 |
| 3.3.3 (2×1)-1Sn和(√3×√3)R30?-1Sn 的表面能带：重构效应 | 第50-53页 |
| 3.4 本章小结 | 第53-55页 |
| 第4章 拓扑晶体绝缘体表面狄拉克谷的应变调控 | 第55-67页 |
| 4.1 引言 | 第55-56页 |
| 4.2 计算模型和方法 | 第56页 |
| 4.3 结果和讨论 | 第56-65页 |
| 4.3.1 应变对SnTe体的拓扑影响 | 第56-58页 |
| 4.3.2 应变对SnTe(111)表面狄拉克锥的调控 | 第58-59页 |
| 4.3.3 应变调控下狄拉克谷相关的输运 | 第59-63页 |
| 4.3.4 讨论 | 第63-65页 |
| 4.4 本章小结 | 第65-67页 |
| 第5章 拓扑材料薄膜中狄拉克费米子的螺旋性调控 | 第67-80页 |
| 5.1 引言 | 第67-68页 |
| 5.2 计算模型和方法 | 第68-69页 |
| 5.3 结果和讨论 | 第69-79页 |
| 5.3.1 SnTe(111)薄膜中狄拉克费米子的螺旋性劈裂 | 第69-71页 |
| 5.3.2 模型哈密顿量 | 第71-73页 |
| 5.3.3 狄拉克费米子螺旋性相关的输运 | 第73-78页 |
| 5.3.4 讨论 | 第78-79页 |
| 5.4 本章小结 | 第79-80页 |
| 第6章 结论 | 第80-82页 |
| 参考文献 | 第82-90页 |
| 致谢 | 第90-92页 |
| 个人简历、在学期间发表的学术论文与研究成果 | 第92-93页 |
