摘要 | 第5-7页 |
ABSTRACT | 第7-10页 |
第一章 绪论 | 第14-38页 |
1.1 核聚变能简介 | 第14-18页 |
1.1.1 核聚变 | 第14-15页 |
1.1.2 氚增殖 | 第15-16页 |
1.1.3 增殖包层 | 第16-18页 |
1.2 陶瓷增殖剂发展概况 | 第18-23页 |
1.2.1 材料制备 | 第19-21页 |
1.2.2 主要性能 | 第21-23页 |
1.3 陶瓷增殖剂的释氚行为研究现状 | 第23-36页 |
1.3.1 研究方法 | 第23-25页 |
1.3.2 氚的迁移和释放过程 | 第25-28页 |
1.3.3 主要影响因素 | 第28-36页 |
1.4 小结 | 第36-38页 |
第二章 离线释氚实验方法概述 | 第38-44页 |
2.1 样品制备 | 第38-39页 |
2.1.1 湿法 | 第38页 |
2.1.2 干法 | 第38-39页 |
2.2 辐照产氚 | 第39-41页 |
2.2.1 堆内辐照 | 第39页 |
2.2.2 产氚量分析 | 第39-41页 |
2.3 释氚实验 | 第41-43页 |
2.3.1 基本原理 | 第41-42页 |
2.3.2 系统效应 | 第42-43页 |
2.4 小结 | 第43-44页 |
第三章 强磁场对Li_4SiO_4释氚行为的影响研究 | 第44-57页 |
3.1 实验方案设计 | 第44-46页 |
3.2 磁场效应与磁场强度的关系 | 第46-52页 |
3.2.1 实验部分 | 第46-47页 |
3.2.2 结果与讨论 | 第47-52页 |
3.3 磁场效应与晶粒尺寸的关系 | 第52-55页 |
3.3.1 实验部分 | 第52页 |
3.3.2 结果与讨论 | 第52-55页 |
3.4 小结 | 第55-57页 |
第四章 表面杂质对Li_4SiO_4释氚行为的影响研究 | 第57-75页 |
4.1 表面杂质成分及其热解吸行为 | 第57-68页 |
4.1.1 实验部分 | 第57-58页 |
4.1.2 表面杂质的成分 | 第58-61页 |
4.1.3 表面杂质的热解吸行为 | 第61-65页 |
4.1.4 解吸峰的归属 | 第65-67页 |
4.1.5 解吸活化能分析 | 第67-68页 |
4.2 水蒸气吸附杂质对氚释放行为的影响 | 第68-74页 |
4.2.1 实验部分 | 第68页 |
4.2.2 不同吸湿条件下的氚释放行为 | 第68-70页 |
4.2.3 水解吸与氚释放的相关性 | 第70-73页 |
4.2.4 水蒸气吸附/解吸对释氚行为的影响 | 第73-74页 |
4.3 小结 | 第74-75页 |
第五章 材料属性对Li_4SiO_4释氚行为的影响研究 | 第75-102页 |
5.1 微观结构对释氚行为的影响 | 第75-87页 |
5.1.1 实验部分 | 第75-76页 |
5.1.2 湿法样品与干法样品的微观结构 | 第76-80页 |
5.1.3 湿法样品与干法样品的释氚行为 | 第80-86页 |
5.1.4 微观结构与释氚行为的相关性 | 第86-87页 |
5.2 辐照缺陷对释氚行为的影响 | 第87-100页 |
5.2.1 实验部分 | 第87-88页 |
5.2.2 辐照缺陷的ESR信号谱 | 第88-90页 |
5.2.3 辐照缺陷的等速升温退火行为 | 第90-93页 |
5.2.4 辐照缺陷的等温退火行为 | 第93-97页 |
5.2.5 辐照缺陷退火与氚释放行为的相关性 | 第97-100页 |
5.3 小结 | 第100-102页 |
第六章 Li_4SiO_4的释氚动力学分析 | 第102-109页 |
6.1 分析模型 | 第102-103页 |
6.1.1 晶内扩散模型 | 第102-103页 |
6.1.2 表面解吸模型 | 第103页 |
6.2 结果与讨论 | 第103-107页 |
6.2.1 等温释氚实验 | 第103-105页 |
6.2.2 程序升温释氚实验 | 第105-107页 |
6.3 小结 | 第107-109页 |
第七章 总结与展望 | 第109-112页 |
7.1 主要结论 | 第109-110页 |
7.2 特色与创新之处 | 第110页 |
7.3 工作展望 | 第110-112页 |
参考文献 | 第112-125页 |
致谢 | 第125-126页 |
在读期间发表的学术论文 | 第126-127页 |
学术交流 | 第127-128页 |
获奖情况 | 第128页 |