| 摘要 | 第5-6页 |
| abstract | 第6-7页 |
| 第1章 绪论 | 第10-21页 |
| 1.1 集成电路铝金属互连线时代 | 第10-11页 |
| 1.2 新一代互连材料选取 | 第11-13页 |
| 1.3 铜互连限制性及其发展 | 第13-17页 |
| 1.3.1 铜互连的限制 | 第13-14页 |
| 1.3.2 铜互连发展 | 第14-15页 |
| 1.3.3 铜合金自形成阻挡层合金元素选择 | 第15-17页 |
| 1.4 铜互连自形成阻挡层研究现状 | 第17-19页 |
| 1.5 论文的主要研究内容 | 第19-21页 |
| 第2章 实验样品制备与分析仪器简介 | 第21-30页 |
| 2.1 实验流程 | 第21-22页 |
| 2.2 实验样品制备与退火处理 | 第22-25页 |
| 2.2.1 磁控溅射 | 第22-24页 |
| 2.2.2 材料准备及处理 | 第24页 |
| 2.2.3 薄膜制备 | 第24-25页 |
| 2.2.4 退火处理 | 第25页 |
| 2.3 分析仪器简介 | 第25-30页 |
| 2.3.1 X射线衍射仪 | 第25-26页 |
| 2.3.2 扫描电子显微镜 | 第26页 |
| 2.3.3 X射线光电子能谱分析仪 | 第26-27页 |
| 2.3.4 透射电子显微镜 | 第27页 |
| 2.3.5 四探针 | 第27-29页 |
| 2.3.6 半导体分析仪 | 第29-30页 |
| 第3章 Zr元素对薄膜热稳定性与电学性能影响 | 第30-45页 |
| 3.1 XRD薄膜晶体结构分析 | 第30-33页 |
| 3.2 SEM表面形貌分析 | 第33-37页 |
| 3.3 XPS能谱原子扩散行为观察与界面化学键分析 | 第37-40页 |
| 3.3.1 XPS能谱原子扩散行为观察 | 第37-38页 |
| 3.3.2 界面化学键分析 | 第38-40页 |
| 3.4 TEM截面形貌分析 | 第40-41页 |
| 3.5 四探针电阻率分析 | 第41-43页 |
| 3.6 漏电流分析 | 第43-44页 |
| 3.7 本章小结 | 第44-45页 |
| 第4章 Mo元素对薄膜热稳定性与电学性能影响 | 第45-56页 |
| 4.1 XRD薄膜晶体结构分析 | 第45-47页 |
| 4.2 SEM表面形貌分析 | 第47-49页 |
| 4.3 XPS能谱原子扩散行为观察与界面化学键分析 | 第49-52页 |
| 4.3.1 XPS能谱原子扩散行为观察 | 第49-50页 |
| 4.3.2 界面化学键分析 | 第50-52页 |
| 4.4 TEM截面形貌分析 | 第52-53页 |
| 4.5 四探针电阻率分析 | 第53-54页 |
| 4.6 漏电流分析 | 第54-55页 |
| 4.7 本章小结 | 第55-56页 |
| 结论 | 第56-58页 |
| 参考文献 | 第58-63页 |
| 攻读硕士学位期间发表的论文和取得的科研成果 | 第63-64页 |
| 致谢 | 第64页 |