| 摘要 | 第5-6页 |
| Abstract | 第6-7页 |
| 1 绪论 | 第10-21页 |
| 1.1 引言 | 第10页 |
| 1.2 半导体光催化简介 | 第10-14页 |
| 1.2.1 半导体光催化的基本原理 | 第11页 |
| 1.2.2 半导体光催化的影响因素及其研究进展 | 第11-14页 |
| 1.3 硝基苯酚催化还原简介 | 第14-16页 |
| 1.3.1 硝基苯酚催化还原的意义 | 第14页 |
| 1.3.2 硝基苯酚催化还原的研究进展 | 第14-16页 |
| 1.4 基于石墨相氮化碳纳米材料的催化性能研究 | 第16-19页 |
| 1.5 本课题的研究意义和研究内容 | 第19-21页 |
| 2 g-C_3N_4的制备及其结构表征 | 第21-26页 |
| 2.1 引言 | 第21页 |
| 2.2 实验试剂 | 第21-22页 |
| 2.3 实验仪器 | 第22页 |
| 2.4 g-C_3N_4纳米片的制备 | 第22页 |
| 2.5 g-C_3N_4的表征 | 第22-23页 |
| 2.6 结果与讨论 | 第23-26页 |
| 3 Ag/g-C_3N_4纳米复合材料的控制合成及其光催化性能研究 | 第26-49页 |
| 3.1 引言 | 第26-27页 |
| 3.2 实验部分 | 第27-30页 |
| 3.2.1 实验试剂 | 第27页 |
| 3.2.2 实验仪器 | 第27页 |
| 3.2.3 Ag/g-C_3N_4纳米复合材料的控制合成 | 第27-28页 |
| 3.2.4 Ag/g-C_3N_4纳米复合材料的表征 | 第28页 |
| 3.2.5 可见光催化活性测试 | 第28-29页 |
| 3.2.6 光电流测试 | 第29-30页 |
| 3.3 结果与讨论 | 第30-47页 |
| 3.3.1 催化剂的结构与形貌 | 第30-33页 |
| 3.3.2 催化剂的可见光催化性能及机理研究 | 第33-37页 |
| 3.3.3 硼氢根离子对可见光催化性能的影响及机理研究 | 第37-47页 |
| 3.4 本章小结 | 第47-49页 |
| 4 Au/g-C_3N_4纳米复合材料的控制合成及其催化性能研究 | 第49-67页 |
| 4.1 引言 | 第49-50页 |
| 4.2 实验部分 | 第50-52页 |
| 4.2.1 实验试剂 | 第50页 |
| 4.2.2 实验仪器 | 第50页 |
| 4.2.3 Au/g-C_3N_4纳米复合材料的控制合成 | 第50-51页 |
| 4.2.4 Au/g-C_3N_4纳米复合材料的表征 | 第51页 |
| 4.2.5 催化还原硝基苯酚的活性测试 | 第51-52页 |
| 4.3 结果与讨论 | 第52-65页 |
| 4.3.1 催化剂的结构与形貌 | 第52-56页 |
| 4.3.2 催化剂的催化还原性能及机理研究 | 第56-65页 |
| 4.4 本章小结 | 第65-67页 |
| 5 本文小结 | 第67-69页 |
| 致谢 | 第69-70页 |
| 参考文献 | 第70-79页 |
| 附录 | 第79页 |
