摘要 | 第4-5页 |
Abstract | 第5-6页 |
1 引言 | 第10-26页 |
1.1 石墨烯光电探测器的概述 | 第11-21页 |
1.1.1 石墨烯的发现 | 第11页 |
1.1.2 石墨烯的形态结构 | 第11-12页 |
1.1.3 石墨烯的性能简介 | 第12-15页 |
1.1.4 石墨烯的制备方法 | 第15-17页 |
1.1.5 石墨烯光电探测器的概述 | 第17-18页 |
1.1.6 石墨烯光电探测器的器件结构 | 第18-20页 |
1.1.7 石墨烯光电探测器的工作原理 | 第20-21页 |
1.2 石墨烯光电探测器的应用前景与研究现状 | 第21-22页 |
1.2.1 石墨烯光电探测器的应用前景 | 第21页 |
1.2.2 石墨烯光电探测器的研究现状 | 第21-22页 |
1.3 光电探测器的噪声和品质因数 | 第22-23页 |
1.3.1 光电探测器件的噪声 | 第22-23页 |
1.3.2 光电探测器件的品质因数 | 第23页 |
1.4 本论文研究目标与内容 | 第23-26页 |
1.4.1 论文研究目标 | 第23页 |
1.4.2 论文研究内容与结构安排 | 第23-26页 |
2 石墨烯薄膜的CVD法制备与结构表征 | 第26-40页 |
2.1 实验所需设备与材料 | 第26-27页 |
2.1.1 实验所需设备 | 第26页 |
2.1.2 实验所需材料 | 第26-27页 |
2.2 石墨烯薄膜的制备及转移 | 第27-31页 |
2.2.1 石墨烯薄膜的CVD生长工艺研究 | 第27-29页 |
2.2.2 石墨烯的转移 | 第29-31页 |
2.3 石墨烯薄膜的表征 | 第31-39页 |
2.3.1 光学显微镜分析 | 第32页 |
2.3.2 原子力显微表征 | 第32-33页 |
2.3.3 扫描电子显微镜表征 | 第33-35页 |
2.3.4 拉曼光谱表征 | 第35-36页 |
2.3.5 方阻表征 | 第36-38页 |
2.3.6 透过率表征 | 第38-39页 |
2.4 本章小结 | 第39-40页 |
3 石墨烯场效应结构光电探测器件制备的工艺研究 | 第40-50页 |
3.1 光刻工艺及正胶的选择 | 第40-42页 |
3.2 石墨烯薄膜的图形化工艺 | 第42-43页 |
3.3 石墨烯与金属的接触工艺研究 | 第43页 |
3.4 金属蒸发剥离工艺研究 | 第43-45页 |
3.5 退火对器件性能的影响 | 第45页 |
3.6 石墨烯场效应结构光电探测器的制备 | 第45-48页 |
3.7 本章小结 | 第48-50页 |
4 石墨烯场效应结构光电探测器件的电学与光学特性研究 | 第50-62页 |
4.1 硅基石墨烯场效应结构光电探测器的制备与工作原理 | 第50-51页 |
4.2 测试设备和测试条件 | 第51-52页 |
4.3 石墨烯场效应结构光电探测器件的电学性能研究 | 第52-58页 |
4.3.1 石墨烯的电阻特性 | 第52-53页 |
4.3.2 双极型转移特性曲线 | 第53-56页 |
4.3.3 双极型电学特性的机理分析 | 第56-58页 |
4.4 石墨烯场效应结构光电探测器件的光学特性研究 | 第58-61页 |
4.4.1 石墨烯的光学性质 | 第58-59页 |
4.4.2 石墨烯中光电流的产生方式 | 第59页 |
4.4.3 器件的电学特性测试 | 第59-61页 |
4.5 本章小结 | 第61-62页 |
5 石墨烯/硅异质结光电探测器件的制备及性能研究 | 第62-68页 |
5.1 异质结光电探测器件的制备与所需测试设备 | 第62-64页 |
5.1.1 所需测试设备 | 第62页 |
5.1.2 石墨烯/硅基异质结结构光电探测器件的制备 | 第62-64页 |
5.2 石墨烯/硅异质结光电探测器件结构 | 第64页 |
5.3 石墨烯/硅异质结光电探测器件的工作原理 | 第64-65页 |
5.4 石墨烯/硅异质结光电探测器件的性能测试 | 第65-67页 |
5.5 本章小结 | 第67-68页 |
6 总结与展望 | 第68-71页 |
6.1 论文工作总结 | 第68-69页 |
6.2 论文研究工作主要创新点 | 第69页 |
6.3 未来研究工作的展望 | 第69-71页 |
致谢 | 第71-73页 |
参考文献 | 第73-79页 |
个人简历、在学期间发表的学术论文及取得的研究成果 | 第79-80页 |