| 摘要 | 第5-6页 |
| ABSTRACT | 第6-7页 |
| 符号对照表 | 第12-13页 |
| 缩略语对照表 | 第13-16页 |
| 第一章 绪论 | 第16-24页 |
| 1.1 氮化镓材料及研究意义 | 第16-17页 |
| 1.2 GaN HEMT器件的研究进展介绍 | 第17-19页 |
| 1.3 目前存在的可靠性方面的问题 | 第19-21页 |
| 1.4 本论文研究内容介绍 | 第21-24页 |
| 第二章 Al GaN/GaN HEMT器件工作原理及制备工艺 | 第24-32页 |
| 2.1 Al GaN/GaN HEMT器件工作原理 | 第24-25页 |
| 2.2 Al GaN/GaN HEMT器件制备工艺流程 | 第25-29页 |
| 2.3 Al GaN/GaN HEMT器件基本电学特性测试 | 第29-30页 |
| 2.4 总结 | 第30-32页 |
| 第三章 Al GaN/GaN HEMT器件温度特性研究 | 第32-52页 |
| 3.1 Silvaco仿真软件介绍 | 第32-34页 |
| 3.2 温度对GaN HEMT器件特性的仿真分析 | 第34-42页 |
| 3.2.1 温度对HEMT器件的直流特性的影响 | 第34-38页 |
| 3.2.2 场板器件的温度特性仿真 | 第38-42页 |
| 3.3 温度对器件特性的影响实验研究 | 第42-51页 |
| 3.3.1 温度对器件直流特性的影响分析 | 第43-46页 |
| 3.3.2 退火条件对HEMT器件特性影响研究 | 第46-48页 |
| 3.3.3 Al GaN/GaN HEMT器件的高温存储特性研究 | 第48-51页 |
| 3.4 本章小结 | 第51-52页 |
| 第四章 欧姆接触测试方法及温度特性研究 | 第52-80页 |
| 4.1 欧姆接触基本理论 | 第52-56页 |
| 4.2 欧姆接触的制备方法 | 第56-60页 |
| 4.2.1 隧道效应理论 | 第56-58页 |
| 4.2.2 欧姆接触的制备 | 第58-59页 |
| 4.2.3 欧姆接触电阻 | 第59-60页 |
| 4.3 欧姆接触方块电阻测量方法 | 第60-70页 |
| 4.3.1 矩形传输线模型 | 第60-62页 |
| 4.3.2 圆形传输线模型 | 第62-65页 |
| 4.3.3“末端”电阻法介绍 | 第65-67页 |
| 4.3.4 改进后的圆形传输线模型 | 第67-70页 |
| 4.4 欧姆接触方块电阻的测试与分析 | 第70-78页 |
| 4.4.1 传统的TLM法测试欧姆接触方块电阻 | 第70-73页 |
| 4.4.2 退火对于欧姆接触特性的影响 | 第73-74页 |
| 4.4.3 温度对欧姆接触特性的影响 | 第74-76页 |
| 4.4.4 采用末端电阻法测试欧姆接触方块电阻 | 第76-78页 |
| 4.5 总结 | 第78-80页 |
| 第五章 结束语以及讨论 | 第80-83页 |
| 5.1 研究总结 | 第80-81页 |
| 5.2 研究展望 | 第81-83页 |
| 参考文献 | 第83-89页 |
| 致谢 | 第89-91页 |
| 作者简介 | 第91-92页 |
