| 摘要 | 第4-5页 |
| Abstract | 第5页 |
| 第一章 引言 | 第8-18页 |
| 1.1 课题研究背景与意义 | 第8-12页 |
| 1.1.1 研究背景 | 第8-11页 |
| 1.1.2 研究意义 | 第11-12页 |
| 1.2 国内外研究现状 | 第12-16页 |
| 1.2.1 SiC MOSFET的研究现状 | 第12-13页 |
| 1.2.2 SiC MOSFET模型的研究现状 | 第13-16页 |
| 1.3 半导体器件的建模方法 | 第16-17页 |
| 1.4 本文研究内容和章节安排 | 第17-18页 |
| 第二章 SiC MOSFET的SPICE建模理论基础 | 第18-29页 |
| 2.1 基本建模方法 | 第18-22页 |
| 2.2 SiC MOSFET的结构特点及重要参数 | 第22-26页 |
| 2.3 SiC/SiO_2界面特征 | 第26-28页 |
| 2.4 本章小结 | 第28-29页 |
| 第三章 SiC MOSFET静态特性建模及验证 | 第29-43页 |
| 3.1 内核沟道模型 | 第29-37页 |
| 3.1.1 漏电流模型 | 第29-32页 |
| 3.1.2 先进迁移率模型 | 第32-33页 |
| 3.1.3 基于表面势的叠层电荷模型 | 第33-37页 |
| 3.2 内部电阻模型 | 第37-38页 |
| 3.3 静态特性的验证 | 第38-42页 |
| 3.4 本章小结 | 第42-43页 |
| 第四章 SiC MOSFET动态特性建模及验证 | 第43-59页 |
| 4.1 电容建模 | 第43-50页 |
| 4.2 体二极管建模 | 第50-54页 |
| 4.3 动态特性验证 | 第54-58页 |
| 4.4 本章小结 | 第58-59页 |
| 第五章 模型的应用 | 第59-64页 |
| 5.1 SiC/SiO_2的界面参数对SiC MOSFET开关损耗的影响 | 第59-62页 |
| 5.1.1 SiC/SiO_2的界面态密度的影响 | 第59-61页 |
| 5.1.2 SiC/SiO_2的表面粗糙度的影响 | 第61-62页 |
| 5.2 栅极电压VGS对SiC MOSFET开关损耗的影响 | 第62-63页 |
| 5.3 本章小结 | 第63-64页 |
| 第六章 结论 | 第64-66页 |
| 6.1 全文总结 | 第64-65页 |
| 6.2 全文展望 | 第65-66页 |
| 参考文献 | 第66-69页 |
| 附录一 程序清单 | 第69-75页 |
| 附录二 插图清单 | 第75-76页 |
| 附录三 表格清单 | 第76-77页 |
| 攻读硕士学位期间取得的研究成果 | 第77-78页 |
| 致谢 | 第78页 |
