低噪声放大器有意电磁干扰效应研究
| 摘要 | 第1-5页 |
| ABSTRACT | 第5-8页 |
| 第一章 绪论 | 第8-14页 |
| ·课题研究背景意义 | 第8-9页 |
| ·国内外研究现状 | 第9-12页 |
| ·HPM 效应研究方法 | 第12页 |
| ·论文的主要工作 | 第12-14页 |
| 第二章 低噪声放大器电路设计 | 第14-27页 |
| ·LNA 主要技术指标 | 第14-17页 |
| ·噪声系数NF | 第15页 |
| ·工作频带 | 第15-16页 |
| ·放大器增益及增益平坦度 | 第16页 |
| ·线性动态范围及1dB 压缩点 | 第16-17页 |
| ·输入输出匹配 | 第17页 |
| ·设计方法 | 第17-20页 |
| ·级数选择 | 第17-18页 |
| ·晶体管的选择 | 第18页 |
| ·直流偏置电路的选择和设计 | 第18页 |
| ·稳定性分析 | 第18-19页 |
| ·输入输出匹配电路设计 | 第19-20页 |
| ·LNA 设计与仿真 | 第20-24页 |
| ·晶体管的选择和偏置电路设计 | 第20-22页 |
| ·稳定性分析和设计 | 第22页 |
| ·电路结构的设计与优化 | 第22-24页 |
| ·LNA 仿真结果 | 第24页 |
| ·LNA 制板和测试 | 第24-27页 |
| 第三章 晶体管电磁薄弱环节电路分析 | 第27-33页 |
| ·效应研究技术路线 | 第27-28页 |
| ·安全工作区 | 第28-29页 |
| ·半导体器件效应机理 | 第29-33页 |
| ·半导体器件烧毁机理分类 | 第29页 |
| ·大电流效应 | 第29页 |
| ·二次击穿 | 第29-30页 |
| ·集电极电流电压分析 | 第30-32页 |
| ·穿通现象 | 第32-33页 |
| 第四章 LNA 效应模拟计算 | 第33-43页 |
| ·电路模拟 | 第33-35页 |
| ·模拟计算结果 | 第35-41页 |
| ·增益恢复时间与脉冲参数的关系 | 第35-36页 |
| ·Vb 与脉冲参数的关系 | 第36-38页 |
| ·Ic 与脉冲参数的关系 | 第38-39页 |
| ·积分电容对恢复时间的影响 | 第39-40页 |
| ·脉冲频率对恢复时间的影响 | 第40-41页 |
| ·微波脉冲对两级LNA 作用 | 第41-43页 |
| 第五章 LNA 效应注入实验研究 | 第43-60页 |
| ·HPM 效应研究 | 第43页 |
| ·注入实验研究 | 第43-48页 |
| ·实验所需设备及仪器 | 第43-44页 |
| ·实验方法 | 第44-48页 |
| ·LNA 注入效应实验结果与分析 | 第48-57页 |
| ·增益恢复时间与脉冲参数的关系 | 第48-50页 |
| ·微波脉冲对基极电压Vb 的影响 | 第50-53页 |
| ·微波脉冲对集电极电流Ic 的影响 | 第53-55页 |
| ·积分电容对恢复时间的影响 | 第55-56页 |
| ·增益压制部分信号分析 | 第56-57页 |
| ·微波脉冲对两级LNA 的作用 | 第57-58页 |
| ·LNA 效应机理总结 | 第58-59页 |
| ·小结 | 第59-60页 |
| 第六章 结论 | 第60-61页 |
| 致谢 | 第61-62页 |
| 参考文献 | 第62-66页 |
| 攻硕期间取得的研究成果 | 第66-67页 |
