| 第一章 前言 | 第11-25页 |
| 1．1 超导的发现和超导体基本性质 | 第11-12页 |
| 1．1．1 超导电性的发现 | 第11页 |
| 1．1．2 超导体的基不性质 | 第11-12页 |
| 1．2 超导理论的发展 | 第12-13页 |
| 1．3 超导材料的发展 | 第13-15页 |
| 1．4 MgB_2超导电性的发现 | 第15-16页 |
| 1．5 MgB_2研究现状 | 第16-23页 |
| 1．5．1 超导机理 | 第16-17页 |
| 1．5．2 压力影响 | 第17页 |
| 1．5．3 元素替代 | 第17-18页 |
| 1．5．4 线材和带材制备 | 第18-19页 |
| 1．5．5 MgB_2薄膜制备 | 第19-22页 |
| 1．5．6 MgB_2厚膜制备 | 第22页 |
| 1．5．7 MgB_2薄膜器件 | 第22-23页 |
| 1．6 研究意义和主要研究内容 | 第23-25页 |
| 1．6．1 研究 MgB_2的意义 | 第23-24页 |
| 1．6．2 主要研究内容 | 第24-25页 |
| 第二章 实验设备及原理 | 第25-31页 |
| 2．1 微波电子回旋共振(MW-ECR)等离子体磁控溅射 | 第25-30页 |
| 2．1．1 MW-ECR等离子体源的工作原理及特点 | 第25-26页 |
| 2．1．2 磁控溅射 | 第26-27页 |
| 2．1．3 WM-ECR等离子体磁控溅射技术 | 第27-30页 |
| 2．2 标准四引线法测量临界转变温度Tc的原理与装置 | 第30页 |
| 2．3 本章小结 | 第30-31页 |
| 第三章 MgB_2靶材制备及分析 | 第31-41页 |
| 3．1 制备 MgB_2超导体及薄膜的热力学理论参考 | 第31-33页 |
| 3．2 MgB_2块状样品的制备及分析 | 第33-37页 |
| 3．2．1 实验过程 | 第33-34页 |
| 3．2．2 结果分析 | 第34-37页 |
| 3．3 靶材的制备及分析 | 第37-40页 |
| 3．3．1 实验过程 | 第37-38页 |
| 3．3．2 结果分析 | 第38-39页 |
| 3．3．3 靶材制备出现的问题 | 第39-40页 |
| 3．4 本章小结 | 第40-41页 |
| 第四章 MgB_2薄膜制备及分析 | 第41-59页 |
| 4．1 实验的前期准备 | 第41-43页 |
| 4．1．1 工作气体的选择 | 第41-42页 |
| 4．1．2 基片的选择 | 第42-43页 |
| 4．2 薄膜制备实验 | 第43-46页 |
| 4．2．1 薄膜制备流程 | 第43-44页 |
| 4．2．2 工艺与样品的测试 | 第44-46页 |
| 4．3 结果与讨论 | 第46-58页 |
| 4．3．1 复合单靶溅射 | 第46-51页 |
| 4．3．2 双靶溅射 | 第51-58页 |
| 4．3 本章小结 | 第58-59页 |
| 第五章 总结与展望 | 第59-61页 |
| 参考文献 | 第61-67页 |
| 致谢 | 第67页 |
