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基于HPM器件的二次电子倍增效应的模型建立及特性研究

摘要第1-6页
Abstract第6-9页
第1章 绪论第9-14页
   ·选题背景及其意义第9-10页
   ·国内外研究动态第10页
   ·课题研究内容第10-12页
   ·研究方案、工作特色及难点第12-14页
     ·研究方案第12页
     ·课题难点第12-13页
     ·预期成果第13页
     ·创新点第13-14页
第2章 二次电子倍增效应第14-20页
   ·二次电子倍增效应物理机制第14-15页
   ·二次电子激发模型第15-16页
   ·计算方案和程序设计第16-20页
第3章 基于自洽相互作用的空间电荷产生的静电场E_D第20-23页
   ·空间电荷势的推导及静电场的确定第20-22页
     ·正弦函数分布的空间电荷势第20-21页
     ·贝塞尔函数分布的空间电荷势第21-22页
   ·本章小结第22-23页
第4章 绝缘磁场对次级电子倍增效应的影响第23-33页
   ·动力学模型第23-24页
   ·磁场对次级电子倍增效应的影响分析第24-27页
   ·敏感曲线和次级电子的时间演化曲线第27-30页
     ·磁场对敏感区域的影响第27-29页
     ·磁场对次级电子时间演化的影响第29-30页
   ·斜入射对敏感区域和二次电子时间演化的影响第30-32页
   ·本章小结第32-33页
第5章 基于直流空间电荷自洽场的单边MULTIPACTOL第33-43页
   ·动力学原理及MULTIPACTOR模型第33-34页
   ·敏感区域及二次电子的时间演化第34-38页
     ·敏感曲线第34-35页
     ·磁场对multipactor的影响第35-37页
     ·随空间变化的E_d与空间恒定E_d两种情况下multipactor的对比第37-38页
   ·不同入射角α_i入射对MULTIPACTOR的影响第38页
   ·电子壁碰撞过程中的能量交换规律第38-39页
   ·静电场E_d的演化规律第39-41页
     ·静电场E_d在不同时刻随空间的演化规律第39-40页
     ·静电场E_d随时间的演化规律第40-41页
   ·本章小结第41-43页
第6章 参数变化对二次电子倍增的影响第43-47页
   ·空间电荷势改变对二次电子倍增的影响第43-44页
   ·腔半径改变对二次电子倍增的影响第44-45页
   ·离子束半径改变对二次电子倍增的影响第45-46页
   ·器壁表面光滑系数改变对二次电子倍增的影响第46页
   ·本章小结第46-47页
第7章 总结与展望第47-51页
   ·结论第47-48页
   ·减小和抑制MULTIPACTOR的措施第48-50页
     ·抑制击穿方法第48-50页
     ·减小或抑制multipactor第50页
   ·展望第50-51页
参考文献第51-54页
攻读硕士学位期间发表的学术论文及其它成果第54-55页
致谢第55页

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