| 摘要 | 第3-4页 |
| Abstract | 第4页 |
| 第一章绪论 | 第8-14页 |
| 1.1 研究背景及意义 | 第8-11页 |
| 1.1.1 非易失性存储器 | 第8-10页 |
| 1.1.2 反熔丝器件 | 第10-11页 |
| 1.1.3 反熔丝PROM | 第11页 |
| 1.2 反熔丝PROM发展趋势 | 第11-12页 |
| 1.3 栅氧化层反熔丝PROM发展的关键问题和解决方案 | 第12页 |
| 1.4 主要工作和内容安排 | 第12-14页 |
| 第二章栅氧化层反熔丝PROM存储单元研究和测试电路设计 | 第14-24页 |
| 2.1 栅氧化层反熔丝存储单元结构研究 | 第14-18页 |
| 2.1.1 传统 3T单元 | 第14-15页 |
| 2.1.2 2T2C单元 | 第15-16页 |
| 2.1.3 2T单元 | 第16页 |
| 2.1.4 1T单元 | 第16-17页 |
| 2.1.5 改进型 3T单元 | 第17-18页 |
| 2.2 栅氧化层反熔丝存储单元编程机理研究 | 第18-21页 |
| 2.3 测试电路设计 | 第21-23页 |
| 2.3.1 电路结构设计 | 第21-22页 |
| 2.3.2 测试电路中的存储单元版图设计 | 第22-23页 |
| 2.3.3 测试电路版图设计 | 第23页 |
| 2.4 本章小结 | 第23-24页 |
| 第三章栅氧化层反熔丝存储单元编程特性研究 | 第24-43页 |
| 3.1 存储单元编程电压可行域研究 | 第24-25页 |
| 3.1.1 编程可行域实验方法 | 第24-25页 |
| 3.1.2 实验结果与分析 | 第25页 |
| 3.1.3 结论 | 第25页 |
| 3.2 存储单元基于编程电压的编程时间模型 | 第25-30页 |
| 3.2.1 编程时间实验方法和结果 | 第26-27页 |
| 3.2.2 编程时间模型建立 | 第27-28页 |
| 3.2.3 编程时间模型求解与验证 | 第28-30页 |
| 3.2.4 结论 | 第30页 |
| 3.3 已编程存储单元性能研究 | 第30-34页 |
| 3.3.1 存储单元编程后性能评估方法 | 第31页 |
| 3.3.2 存储单元编程后性能实验与性能评估 | 第31-33页 |
| 3.3.3 结论 | 第33-34页 |
| 3.4 已编程存储单元一致性研究 | 第34-42页 |
| 3.4.1 存储单元编程一致性评估方法 | 第34页 |
| 3.4.2 编程一致性实验方法与结果分析 | 第34-36页 |
| 3.4.3 已编程单元一致性评估 | 第36-42页 |
| 3.4.4 结论 | 第42页 |
| 3.5 本章小结 | 第42-43页 |
| 第四章栅氧化层反熔丝存储单元可靠性研究 | 第43-73页 |
| 4.1 可靠性概述 | 第43-44页 |
| 4.2 可靠性评估方法 | 第44-46页 |
| 4.2.1 基于失效时间数据的可靠性评估方法 | 第44-45页 |
| 4.2.2 基于性能退化数据的可靠性评估方法 | 第45-46页 |
| 4.3 存储单元稳态寿命研究 | 第46-49页 |
| 4.3.1 存储单元稳态寿命实验方法 | 第46-48页 |
| 4.3.2 存储单元稳态寿命实验结果 | 第48-49页 |
| 4.4 存储单元加速寿命研究 | 第49-50页 |
| 4.5 存储单元基于性能参数退化的可靠性评估 | 第50-62页 |
| 4.5.1 基于性能参数退化的可靠性评估方法和执行步骤 | 第50-52页 |
| 4.5.2 栅氧化层反熔丝存储单元稳态寿命可靠性评估 | 第52-61页 |
| 4.5.3 结论 | 第61-62页 |
| 4.6 存储单元基于性能参数加速退化的可靠性评估 | 第62-71页 |
| 4.6.1 温度加速模型-Arrhenius模型简介 | 第62页 |
| 4.6.2 基于加速退化的可靠性评估方法与步骤 | 第62-64页 |
| 4.6.3 存储单元基于性能参数加速退化的可靠性评估 | 第64-70页 |
| 4.6.4 结论 | 第70-71页 |
| 4.7 其他可靠性问题 | 第71页 |
| 4.8 本章小结 | 第71-73页 |
| 第五章结论与展望 | 第73-75页 |
| 5.1 工作总结 | 第73-74页 |
| 5.2 新的展望 | 第74-75页 |
| 参考文献 | 第75-78页 |
| 攻读硕士学位期间发表学术论文情况 | 第78-79页 |
| 致谢 | 第79-81页 |
