| 摘要 | 第4-5页 |
| Abstract | 第5页 |
| 第一章 绪论 | 第8-16页 |
| 1.1 引言 | 第8-9页 |
| 1.2 IGBT发展简介 | 第9-12页 |
| 1.2.1 PT型IGBT | 第10页 |
| 1.2.2 NPT型IGBT | 第10页 |
| 1.2.3 FS型IGBT | 第10-12页 |
| 1.3 国内外研究现状 | 第12-13页 |
| 1.4 研究内容与意义 | 第13页 |
| 1.5 本文章节安排 | 第13-16页 |
| 第二章 NPT型IGBT基本理论 | 第16-36页 |
| 2.1 器件结构及工作原理 | 第16-18页 |
| 2.1.1 器件结构 | 第16-17页 |
| 2.1.2 工作原理 | 第17-18页 |
| 2.2 特性分析 | 第18-34页 |
| 2.2.1 阈值电压 | 第18-19页 |
| 2.2.2 导通特性 | 第19-26页 |
| 2.2.3 击穿特性 | 第26-27页 |
| 2.2.4 寄生电容 | 第27-29页 |
| 2.2.5 开关特性 | 第29-34页 |
| 2.3 终端结构 | 第34-35页 |
| 2.4 本章小结 | 第35-36页 |
| 第三章 分栅NPT型IGBT的元胞仿真 | 第36-50页 |
| 3.1 分栅结构的理论分析 | 第36-37页 |
| 3.2 分栅结构的可行性分析 | 第37-38页 |
| 3.3 几何尺寸的仿真优化 | 第38-46页 |
| 3.3.1 栅长L_G的优化 | 第39-40页 |
| 3.3.2 L_a部分栅长的优化 | 第40-43页 |
| 3.3.3 分栅距离S的优化 | 第43-46页 |
| 3.4 背注入剂量的优化 | 第46-48页 |
| 3.5 本章小结 | 第48-50页 |
| 第四章 寄生效应的研究 | 第50-62页 |
| 4.1 JFET调整注入 | 第50-54页 |
| 4.2 寄生晶闸管效应 | 第54-57页 |
| 4.3 栅氧化层电荷 | 第57-60页 |
| 4.3.1 栅氧化层电荷的来源 | 第58页 |
| 4.3.2 栅氧化层电荷对阈值电压和击穿电压的影响 | 第58-59页 |
| 4.3.3 减少栅氧化层电荷的措施 | 第59-60页 |
| 4.4 本章小结 | 第60-62页 |
| 第五章 1200V分栅NPT型IGBT设计 | 第62-72页 |
| 5.1 结构参数的确定 | 第62-66页 |
| 5.1.1 N-基区参数设计 | 第62页 |
| 5.1.2 栅极参数设计 | 第62页 |
| 5.1.3 P阱参数设计 | 第62-64页 |
| 5.1.4 N+发射极参数设计 | 第64页 |
| 5.1.5 背面集电极参数设计 | 第64-65页 |
| 5.1.6 终端结构参数设计 | 第65-66页 |
| 5.2 工艺流程设计 | 第66-68页 |
| 5.3 芯片面积设计 | 第68-69页 |
| 5.4 版图设计 | 第69-72页 |
| 5.4.1 元胞图形设计 | 第69-70页 |
| 5.4.2 栅电极设计 | 第70页 |
| 5.4.3 其它参数设计 | 第70-72页 |
| 第六章 总结与展望 | 第72-74页 |
| 6.1 总结 | 第72页 |
| 6.2 展望 | 第72-74页 |
| 致谢 | 第74-76页 |
| 参考文献 | 第76-80页 |
| 作者简介 | 第80页 |