| 摘要 | 第4-5页 |
| Abstract | 第5-6页 |
| 第1章 绪论 | 第9-21页 |
| 1.1. 射频HBT功率放大器的应用及发展 | 第9-10页 |
| 1.2. GaAs HBT放大器的热效应问题及研究现状 | 第10-17页 |
| 1.3. 本文的主要工作及创新 | 第17-21页 |
| 第2章 射频功率放大器的电输出特性与热传导机制 | 第21-33页 |
| 2.1. 射频功率放大器的电性能指标 | 第21-27页 |
| 2.2. 放大器的电特性与热传导机制 | 第27-32页 |
| 2.2.1. 传热基本方式 | 第27-28页 |
| 2.2.2. 热传导下HBT温度分布的镜像运算法则 | 第28-32页 |
| 2.3. 本章小结 | 第32-33页 |
| 第3章 GaAs HBT晶体管的温控特性 | 第33-45页 |
| 3.1. GaAs HBT工作原理与热产生机制 | 第33-34页 |
| 3.2. 温度对HBT晶体管电特性的影响 | 第34-39页 |
| 3.3. 镇流电阻与晶体管热稳定性 | 第39-44页 |
| 3.4. 本章小结 | 第44-45页 |
| 第4章 分布式电热耦合模型的建立 | 第45-63页 |
| 4.1. 传统电热耦合模型 | 第45-52页 |
| 4.1.1. 传统模型简介 | 第45-48页 |
| 4.1.2. VBIC电热耦合模型 | 第48-52页 |
| 4.2. 分布式电热耦合模型的提出 | 第52-62页 |
| 4.2.1. 多指器件并联的温度分布 | 第52-60页 |
| 4.2.2. 分布式电热耦合模型原理及实现方法 | 第60-62页 |
| 4.3. 本章小结 | 第62-63页 |
| 第5章 热电性能均改善的自适应功率单元技术 | 第63-78页 |
| 5.1. 新型的自适应功率单元的提出 | 第63-70页 |
| 5.1.1. 传统多指镇流电阻与电流分布 | 第63-65页 |
| 5.1.2. 自适应镇流电阻网络设计 | 第65-70页 |
| 5.2. 自适应电阻网络对电特性以及热特性的影响 | 第70-77页 |
| 5.2.1. 自适应镇流电阻网络对效率以及线性的影响 | 第70-74页 |
| 5.2.2. 自适应镇流电阻网络对温度特性的影响 | 第74-77页 |
| 5.3. 本章小结 | 第77-78页 |
| 第6章 2.4GHz HBT自适应功率放大器的芯片设计与测试 | 第78-93页 |
| 6.1. 两级功率放大器的电路设计 | 第78-82页 |
| 6.1.1. 工艺的选择 | 第78-80页 |
| 6.1.2. 功率放大器的设计 | 第80-82页 |
| 6.2. 版图结构的热调整技术 | 第82-88页 |
| 6.2.1. 版图设计的一般规则 | 第82-84页 |
| 6.2.2. 版图结构的热设计 | 第84-88页 |
| 6.3. 测试与验证 | 第88-92页 |
| 6.4. 本章小结 | 第92-93页 |
| 第7章 总结与展望 | 第93-96页 |
| 致谢 | 第96-97页 |
| 参考文献 | 第97-105页 |
| 在读期间发表的论文与取得的其它研究成果 | 第105页 |
