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直拉硅单晶中空洞型缺陷演化行为的相场模型及其模拟研究

摘要第13-15页
ABSTRACT第15-17页
第一章 绪论第18-26页
    1.1 立题背景及意义第18-19页
    1.2 硅单晶直拉法生长及生长缺陷第19-20页
        1.2.1 硅单晶的直拉法生长第19-20页
        1.2.2 直拉法生长微缺陷第20页
    1.3 硅单晶中空洞型缺陷的研究进展第20-24页
        1.3.1 实验研究第20-22页
        1.3.2 计算机数值模拟研究第22-24页
    1.4 本文的技术路线和研究内容第24-26页
        1.4.1 技术路线第24页
        1.4.2 研究内容第24-26页
第二章 相变和相场模拟理论第26-40页
    2.1 引言第26页
    2.2 相变热力学理论第26-34页
        2.2.1 固态相变理论第26-28页
            2.2.1.1 固态相变的分类第26-27页
            2.2.1.2 相变驱动力第27页
            2.2.1.3 朗道相变理论第27-28页
        2.2.2 均相体系的自由能第28-32页
        2.2.3 均匀形核理论第32-34页
            2.2.3.1 形核能量变化和临界晶核第32-33页
            2.2.3.2 形核率第33-34页
    2.3 相场法基本理论第34-37页
        2.3.1 相场法的基本概念第34-35页
        2.3.2 相场模拟的流程第35-37页
            2.3.2.1 系统自由能方程第36页
            2.3.2.2 保守场控制方程第36-37页
            2.3.2.3 非保守场控制方程第37页
    2.4 相场法在材料组织演变中的应用第37-39页
    2.5 本章小结第39-40页
第三章 直拉硅单晶中空洞演化的相场模型第40-54页
    3.1 引言第40页
    3.2 空洞演化的物理基础第40-44页
        3.2.1 Frenkel反应动力学第40-42页
        3.2.2 点缺陷平衡动力学第42-44页
    3.3 系统自由能方程第44-48页
        3.3.1 模拟体系第44页
        3.3.2 模拟对象和场变量第44-45页
        3.3.3 系统自由能方程第45-48页
    3.4 动力学方程第48页
    3.5 CH方程的修正第48-52页
        3.5.1 对流-扩散方程第48-50页
        3.5.2 欧拉坐标系和拉格朗日坐标系第50-51页
        3.5.3 CH控制方程第51-52页
    3.6 无量纲化处理第52页
    3.7 本章小结第52-54页
第四章 相场模拟关键技术和程序实现第54-64页
    4.1 引言第54页
    4.2 数值求解方法第54-55页
        4.2.1 有限差分法第54-55页
        4.2.2 有限元法第55页
        4.2.3 有限体积法第55页
    4.3 控制方程的离散和数值求解第55-59页
        4.3.1 数值方法的选择第56页
        4.3.2 控制方程的离散第56-59页
            4.3.2.1 空间离散第56-57页
            4.3.2.2 拉普拉斯算子的数值化第57-58页
            4.3.2.3 时间离散第58页
            4.3.2.4 控制方程的差分形式第58页
            4.3.2.5 稳定性条件第58-59页
    4.4 模拟假设和条件第59-60页
        4.4.1 模拟假设第59页
        4.4.2 初始条件第59-60页
        4.4.3 边界条件第60页
    4.5 程序开发和可视化处理第60-63页
        4.5.1 主程序开发第61-62页
        4.5.2 图像可视化第62-63页
    4.6 本章小结第63-64页
第五章 直拉硅单晶中空洞演化的相场模拟第64-84页
    5.1 引言第64页
    5.2 模拟参数第64-65页
    5.3 单空洞长大动力学的研究第65-72页
        5.3.1 单空洞长大动力学第66-67页
        5.3.2 初始空位浓度的影响第67-69页
        5.3.3 动力学参数的影响第69-72页
            5.3.3.1 空位扩散率的影响第69-71页
            5.3.3.2 界面迁移率的影响第71-72页
    5.4 空洞-基体界面的研究第72-77页
        5.4.1 尖锐界面模型和弥散界面模型第72-73页
        5.4.2 梯度能系数对界面厚度的影响第73-77页
    5.5 双空洞长大动力学的研究第77-82页
        5.5.1 双空洞长大动力学第78-79页
        5.5.2 空洞初始中心间距的影响第79-81页
        5.5.3 初始空位浓度的影响第81-82页
    5.6 本章小结第82-84页
第六章 结论与展望第84-86页
    6.1 主要研究工作和结论第84-85页
    6.2 进一步研究工作的建议第85-86页
参考文献第86-92页
致谢第92-94页
攻读硕士学位期间完成的论文第94-95页
学位论文评阅及答辩情况表第95页

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