| 摘要 | 第4-6页 |
| Abstract | 第6-7页 |
| 第1章 绪论 | 第14-41页 |
| 1.1 课题背景及研究目的 | 第14页 |
| 1.2 六方氮化硼（h-BN）的结构 | 第14-17页 |
| 1.3 六方氮化硼的性质 | 第17-23页 |
| 1.3.1 六方氮化硼的电学性能 | 第17-18页 |
| 1.3.2 六方氮化硼的光谱性质 | 第18-19页 |
| 1.3.3 六方氮化硼的机械性能 | 第19-21页 |
| 1.3.4 六方氮化硼的热导性能 | 第21-22页 |
| 1.3.5 六方氮化硼的其它性质 | 第22-23页 |
| 1.4 六方氮化硼的制备方法 | 第23-33页 |
| 1.4.1 机械剥离法 | 第24-25页 |
| 1.4.2 液相剥离法 | 第25-27页 |
| 1.4.3 裁剪BN纳米管 | 第27-28页 |
| 1.4.4 热分解法 | 第28页 |
| 1.4.5 化学气相沉积法（CVD） | 第28-33页 |
| 1.5 六方氮化硼的应用 | 第33-39页 |
| 1.5.1 聚合物中的填充物 | 第33-34页 |
| 1.5.2 作为场效应晶体管中的介电层 | 第34-35页 |
| 1.5.3 石墨烯和氮化硼的杂化器件 | 第35-36页 |
| 1.5.4 柔性超级电容器中的应用 | 第36-37页 |
| 1.5.5 气体传感方面的应用 | 第37-39页 |
| 1.6 论文选题目的与研究思路 | 第39-41页 |
| 1.6.1 目前主要存在的问题 | 第39页 |
| 1.6.2 主要研究内容 | 第39-41页 |
| 第2章 试验材料及制备方法 | 第41-45页 |
| 2.1 试验试剂 | 第41-42页 |
| 2.2 试验仪器 | 第42页 |
| 2.3 材料制备方法 | 第42-45页 |
| 2.3.1 固态铜表面六方氮化硼单晶的制备及其转移 | 第42-43页 |
| 2.3.2 六方氮化硼生长与刻蚀的制备工艺 | 第43页 |
| 2.3.3 液态铜表面大尺寸h-BN单晶的制备及其转移 | 第43-44页 |
| 2.3.4 等离子体辅助低温制备h-BN | 第44-45页 |
| 第3章 固态铜表面六方氮化硼单晶的制备及其在场效应晶体管中的应用 | 第45-63页 |
| 3.1 前言 | 第45-46页 |
| 3.2 h-BN在固态铜表面的制备及表征 | 第46-51页 |
| 3.2.1 固态铜基底上h-BN的制备 | 第46-48页 |
| 3.2.2 固态铜基底上h-BN的表征分析 | 第48-51页 |
| 3.3 制备六方氮化硼单晶的影响因素 | 第51-57页 |
| 3.3.1 铜箔晶界大小、粗糙度的影响 | 第52-55页 |
| 3.3.2 原料分子间脱氢程度的影响 | 第55-57页 |
| 3.3.3 系统压力对h-BN生长的影响 | 第57页 |
| 3.4 h-BN在石墨烯场效应晶体管中的应用 | 第57-62页 |
| 3.5 本章小结 | 第62-63页 |
| 第4章 二维六方氮化硼在铜表面生长与刻蚀机理研究 | 第63-84页 |
| 4.1 前言 | 第63-64页 |
| 4.2 不同形貌h-BN的制备及表征 | 第64-71页 |
| 4.2.1 不同形貌h-BN的制备 | 第64-66页 |
| 4.2.2 不同形貌h-BN的表征分析 | 第66-71页 |
| 4.3 固态铜表面h-BN生长过程中的形貌演化 | 第71-77页 |
| 4.3.1 固态铜表面h-BN的形貌演化规律 | 第71-74页 |
| 4.3.2 固态铜表面h-BN的形貌演化机理 | 第74-77页 |
| 4.4 固态铜箔表面h-BN的刻蚀行为 | 第77-83页 |
| 4.4.1 固态铜表面h-BN的刻蚀方法 | 第77-81页 |
| 4.4.2 h-BN的刻蚀机理 | 第81-83页 |
| 4.5 本章小结 | 第83-84页 |
| 第5章 液态铜表面制备大尺寸单晶六方氮化硼 | 第84-104页 |
| 5.1 前言 | 第84-85页 |
| 5.2 液态铜表面大尺寸h-BN单晶的制备及表征 | 第85-91页 |
| 5.2.1 液态铜表面h-BN的制备 | 第85-87页 |
| 5.2.2 液态铜表面h-BN的表征 | 第87-91页 |
| 5.3 制备大尺寸h-BN的影响因素 | 第91-99页 |
| 5.3.1 生长时间的影响 | 第91-93页 |
| 5.3.2 加入水量多少的影响 | 第93-94页 |
| 5.3.3 生长气氛的影响 | 第94-99页 |
| 5.4 液态铜表面h-BN的刻蚀 | 第99-100页 |
| 5.5 h-BN薄膜作为介电层在场效应晶体管的应用 | 第100-103页 |
| 5.6 本章小结 | 第103-104页 |
| 第6章 等离子体辅助低温制备六方氮化硼及其在场效应晶体管中的应用 | 第104-123页 |
| 6.1 前言 | 第104页 |
| 6.2 等离子体辅助下h-BN的制备及表征 | 第104-111页 |
| 6.2.1 PECVD条件下h-BN的制备 | 第104-106页 |
| 6.2.2 PECVD条件下h-BN的表征 | 第106-111页 |
| 6.3 h-BN的形貌及质量的影响因素 | 第111-117页 |
| 6.3.1 温度对h-BN制备的影响 | 第111-114页 |
| 6.3.2 生长气氛对h-BN形貌的影响 | 第114页 |
| 6.3.3 等离子体强度对h-BN生长的影响 | 第114-116页 |
| 6.3.4 等离子体刻蚀对h-BN生长的影响 | 第116-117页 |
| 6.4 h-BN作介电层在石墨烯场效应晶体管中的应用 | 第117-122页 |
| 6.5 本章小结 | 第122-123页 |
| 结论 | 第123-125页 |
| 参考文献 | 第125-144页 |
| 博士期间发表论文及其它成果 | 第144-147页 |
| 致谢 | 第147-148页 |
| 个人简历 | 第148页 |
