| 摘要 | 第4-6页 |
| ABSTRACT | 第6-7页 |
| 第1章 绪论 | 第12-33页 |
| 1.1 课题研究的背景和意义 | 第12-13页 |
| 1.2 电子拓扑转变理论 | 第13-18页 |
| 1.2.1 拓扑转变 | 第13-14页 |
| 1.2.2 电子拓扑转变 | 第14-16页 |
| 1.2.3 电子拓扑转变引起的晶体热力学和动力学性质的反常行为 | 第16-18页 |
| 1.3 Sb_2Te_3和Bi_2Te_3晶体中电子拓扑转变的研究现状 | 第18-31页 |
| 1.3.1 电子拓扑转变现象的判定 | 第19-23页 |
| 1.3.2 Sb_2Te_3和Bi_2Te_3晶体电子拓扑转变研究 | 第23-28页 |
| 1.3.3 Bi_2Te_3单分子层结构研究现状 | 第28-30页 |
| 1.3.4 Bi_2Te_3和Sb_2Te_3晶体电子拓扑转变研究中存在的问题 | 第30-31页 |
| 1.4 本论文的主要研究内容 | 第31-33页 |
| 第2章 压力下Sb_2Te_3晶体电子拓扑转变的第一性原理研究 | 第33-55页 |
| 2.1 引言 | 第33-34页 |
| 2.2 计算方法的选择 | 第34-41页 |
| 2.2.1 DFT-D2范德瓦尔斯相互作用修正 | 第35-38页 |
| 2.2.2 Bader有效电荷分析方法 | 第38-41页 |
| 2.3 压力作用下Sb_2Te_3晶体的结构优化 | 第41-46页 |
| 2.3.1 Sb_2Te_3的晶格结构和计算参数设置 | 第41-42页 |
| 2.3.2 考虑范德瓦尔斯修正的晶体结构 | 第42-44页 |
| 2.3.3 不考虑范德瓦尔斯修正的晶体结构 | 第44-46页 |
| 2.4 Bader电荷分析和能带结构 | 第46-52页 |
| 2.4.1 考虑范德瓦尔斯修正的Bader电荷分析 | 第46-47页 |
| 2.4.2 考虑范德瓦尔斯修正的能带结构 | 第47-49页 |
| 2.4.3 不考虑范德瓦尔斯修正的Bader电荷分析和能带结构 | 第49-52页 |
| 2.5 范德瓦尔斯相互作用对于Sb_2Te_3晶体和电子结构的影响 | 第52-54页 |
| 2.6 本章小结 | 第54-55页 |
| 第3章 压力下Bi_2Te_3晶体的电子拓扑转变及其输运性质研究 | 第55-75页 |
| 3.1 引言 | 第55-56页 |
| 3.2 Bi_2Te_3晶体建模及计算参数选取 | 第56-58页 |
| 3.3 Bi_2Te_3晶格参数优化结果 | 第58-63页 |
| 3.4 Bi_2Te_3晶体的电子结构 | 第63-70页 |
| 3.4.1 电荷密度分布 | 第63-65页 |
| 3.4.2 Bader电荷分析 | 第65页 |
| 3.4.3 压力对Bi_2Te_3电子能态密度以及能带结构的影响 | 第65-68页 |
| 3.4.4 有效质量计算 | 第68-70页 |
| 3.5 Bi_2Te_3晶体在压力作用下的输运性质 | 第70-73页 |
| 3.5.1 半经典玻尔兹曼输运方程 | 第70-72页 |
| 3.5.2 压力下Bi_2Te_3晶体的输运性质 | 第72-73页 |
| 3.6 本章小结 | 第73-75页 |
| 第4章 Bi_2Te_3单分子层结构在外应力下的电子拓扑转变研究 | 第75-95页 |
| 4.1 引言 | 第75页 |
| 4.2 Bi_2Te_3单分子层结构建模及计算参数 | 第75-78页 |
| 4.2.1 Bi_2Te_3单分子层结构晶胞建模 | 第75-77页 |
| 4.2.2 计算参数的选择 | 第77-78页 |
| 4.3 应力作用下Bi_2Te_3单分子层的晶格结构 | 第78-87页 |
| 4.3.1 Bi_2Te_3单分子层结构的泊松比 | 第78-80页 |
| 4.3.2 应力作用下晶胞参数的变化 | 第80-82页 |
| 4.3.3 应力引起的原子层间的相对移动 | 第82-87页 |
| 4.4 应力作用下Bi_2Te_3单分子层的Bader电荷和能带结构的变化 | 第87-93页 |
| 4.4.1 应力引起的Bader电荷变化 | 第87-89页 |
| 4.4.2 应力引起的Bi_2Te_3单分子层结构价带顶的偏移 | 第89-93页 |
| 4.5 本章小结 | 第93-95页 |
| 结论 | 第95-97页 |
| 论文创新点 | 第97页 |
| 展望 | 第97-98页 |
| 参考文献 | 第98-108页 |
| 攻读博士学位期间发表的论文和专利 | 第108-110页 |
| 致谢 | 第110-111页 |
| 个人简历 | 第111页 |
