| 摘要 | 第4-5页 |
| abstract | 第5-6页 |
| 第1章 文献综述 | 第9-23页 |
| 1.1 液晶 | 第9-12页 |
| 1.1.1 液晶及液晶发展史 | 第9-10页 |
| 1.1.2 液晶高分子的应用 | 第10-12页 |
| 1.2 侧链型液晶高分子概述 | 第12-16页 |
| 1.2.1 含棒状液晶基元的SCLCPs | 第13-14页 |
| 1.2.2 含盘状液晶基元的SCLCPs | 第14-15页 |
| 1.2.3 含hemiphasmidic液晶基元的SCLCPs | 第15-16页 |
| 1.3 Hemiphasmidic型SCLCPs的研究进展 | 第16-21页 |
| 1.3.1 尾链对hemiphasmidic型SCLCPs相行为的影响研究 | 第16-19页 |
| 1.3.2 刚性核对hemiphasmidic型SCLCPs相行为的影响研究 | 第19-20页 |
| 1.3.3 柔性间隔基对hemiphasmidic型SCLCPs相行为的影响研究 | 第20-21页 |
| 1.4 本论文研究的内容、目的和意义 | 第21-23页 |
| 第2章 尾链长度对hemiphasmidic侧链型液晶高分子相行为影响的研究 | 第23-38页 |
| 2.1 引言 | 第23-24页 |
| 2.2 实验部分 | 第24-28页 |
| 2.2.1 试剂与仪器 | 第24-25页 |
| 2.2.1.1 试剂 | 第24-25页 |
| 2.2.1.2 仪器与测试条件 | 第25页 |
| 2.2.2 单体T_mBMA及聚合物PT_mBMA的合成 | 第25-28页 |
| 2.3 结果与讨论 | 第28-37页 |
| 2.3.1 单体T_6BMA及聚合物PT_6BMA的合成与表征 | 第28-29页 |
| 2.3.2 单体的相行为研究 | 第29-30页 |
| 2.3.3 聚合物PT_mBMA的相行为研究 | 第30-37页 |
| 2.3.3.1 聚合物的TGA研究 | 第30页 |
| 2.3.3.2 聚合物相行为的DSC研究 | 第30-31页 |
| 2.3.3.3 聚合物的POM研究 | 第31-32页 |
| 2.3.3.4 聚合物的1D XRD研究 | 第32-35页 |
| 2.3.3.5 聚合物的2D WAXD研究 | 第35-37页 |
| 2.4 本章小结 | 第37-38页 |
| 第3章 间隔基长度对hemiphasmidic侧链型液晶高分子相行为影响的研究 | 第38-55页 |
| 3.1 引言 | 第38-39页 |
| 3.2 实验部分 | 第39-42页 |
| 3.2.1 试剂与仪器 | 第39页 |
| 3.2.1.1 试剂 | 第39页 |
| 3.2.1.2 仪器与测试条件 | 第39页 |
| 3.2.2 单体M-n及聚合物P-n-BP的合成 | 第39-42页 |
| 3.3 结果与讨论 | 第42-53页 |
| 3.3.1 单体M-n及聚合物P-n-BP的合成与表征 | 第42-44页 |
| 3.3.2 单体的相行为研究 | 第44-46页 |
| 3.3.3 聚合物P-n-BP的相行为研究 | 第46-53页 |
| 3.3.3.1 聚合物的TGA研究 | 第46页 |
| 3.3.3.2 聚合物的POM研究 | 第46-47页 |
| 3.3.3.3 聚合物的DSC研究 | 第47-48页 |
| 3.3.3.4 聚合物的1D XRD研究 | 第48-51页 |
| 3.3.3.5 聚合物的2D WAXD研究 | 第51-53页 |
| 3.4 本章小结 | 第53-55页 |
| 总结与展望 | 第55-57页 |
| 总结 | 第55-56页 |
| 展望 | 第56-57页 |
| 参考文献 | 第57-65页 |
| 致谢 | 第65-66页 |
| 附录A | 第66-71页 |
| 附录B 个人简介、攻读硕士学位期间发表的论文 | 第71页 |
