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纳米半导体PbS中的多重激子效应及其应用

摘要第3-4页
Abstract第4-5页
第一章 绪论第8-23页
    1.1 引言第8-10页
    1.2 纳米材料的独特性质第10-16页
    1.3 纳米半导体中的多重激子效应第16-18页
    1.4 本论文的主要研究内容及结构第18页
    参考文献第18-23页
第二章 多重激子效应的研究进展第23-51页
    2.1 引言第23页
    2.2 研究历史第23-27页
    2.3 多重激子效应的产生第27-34页
        2.3.1 量子点体系第27-32页
        2.3.2 纳米棒结构第32-33页
        2.3.3 纳米薄膜结构第33页
        2.3.4 器件结构第33-34页
    2.4 多重激子效应的试验检测与理论解释第34-39页
        2.4.1 多重激子效应的实验检测第34-36页
        2.4.2 实验数据的分析方法第36-37页
        2.4.3 理论解释第37-38页
        2.4.4 关于多重激子效应的争议第38-39页
    2.5 多重激子效应在光电器件上的应用第39-40页
    2.6 多重激子的分离第40-43页
    2.7 多重激子效应的前景展望第43页
    参考文献第43-51页
第三章 窄带PbS量子点中的多重激子效应第51-79页
    3.1 引言第51-54页
    3.2 PbS量子点的能带结构第54-57页
    3.3 PbS量子点中的多重激子效应第57-69页
    3.4 PbS量子点太阳电池的效率第69-75页
        3.4.1 细致平衡模型的改进第69-72页
        3.4.2 PbS量子点太阳电池的效率第72-75页
    参考文献第75-79页
第四章 结论第79-82页
    4.1 总结第79-80页
    4.2 需要进一步研究的几个问题第80-81页
    参考文献第81-82页
致谢第82-83页
攻读学位期间的研究成果第83-84页

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