| 摘要 | 第3-5页 |
| Abstract | 第5-6页 |
| 缩略语表 | 第12-13页 |
| 1 绪论 | 第13-24页 |
| 1.1 引言 | 第13-14页 |
| 1.2 ZnO半导体材料 | 第14-17页 |
| 1.2.1 ZnO半导体基本性质概况 | 第14-15页 |
| 1.2.2 光催化机理 | 第15页 |
| 1.2.3 ZnO的缺陷特征 | 第15-16页 |
| 1.2.4 ZnO半导体的光催化性能 | 第16-17页 |
| 1.3 氧化锌半导体材料的制备方法 | 第17-18页 |
| 1.4 ZnO光催化剂的掺杂改性 | 第18-21页 |
| 1.5 选题依据和主要研究内容 | 第21-24页 |
| 1.5.1 选题依据 | 第21-22页 |
| 1.5.2 研究内容 | 第22-23页 |
| 1.5.3 创新点 | 第23-24页 |
| 2 实验部分 | 第24-27页 |
| 2.1 实验材料 | 第24页 |
| 2.2 实验仪器 | 第24页 |
| 2.3 催化剂的表征技术 | 第24-25页 |
| 2.3.1 x射线衍射分析（XRD) 12 | 第24-25页 |
| 2.3.2 比表面积（BET) 13 | 第25页 |
| 2.3.3 扫描电镜（SEM) 13 | 第25页 |
| 2.3.4 紫外-可见分光光度计（UViKs) 13 | 第25页 |
| 2.3.5 紫外-可见漫反射光谱（UV-vis DRS) | 第25页 |
| 2.4 光催化降解实验 | 第25-27页 |
| 3 共沉淀法制备（Er、Gd、Te)掺杂氧化锌及其光催化性能研究 | 第27-45页 |
| 3.1 引言 | 第27页 |
| 3.2 共沉淀法制备稀土掺杂ZnO | 第27-28页 |
| 3.3 共沉淀法制备的稀土掺杂ZnO不同焙烧温度影响的表征分析 | 第28-32页 |
| 3.3.1 X射线衍射分析 | 第28页 |
| 3.3.2 比表面积分析 | 第28-30页 |
| 3.3.3 紫外可见漫反射 | 第30-31页 |
| 3.3.4 催化剂活性测试 | 第31-32页 |
| 3.4 共沉淀法制备500°C下不同稀土元素（Er、Gd、Te)及不同掺杂量影响的表征分析 | 第32-45页 |
| 3.4.1 X射线衍射 | 第32-36页 |
| 3.4.2 比表面积分析 | 第36-37页 |
| 3.4.3 扫描电镜分析 | 第37-39页 |
| 3.4.4 可见光漫反射分析 | 第39-41页 |
| 3.4.5 光催化反应活性 | 第41-45页 |
| 4 溶胶-凝胶法的制备（Er、Gd、Te)掺杂氧化锌及其光催化性能研究 | 第45-62页 |
| 4.1 溶胶-凝胶制备方法 | 第45页 |
| 4.2 溶胶-凝胶法制备的稀土掺杂ZnO不同焙烧温度影响的表征分析 | 第45-48页 |
| 4.2.1 X射线衍射分析 | 第45-46页 |
| 4.2.2 比表面积分析 | 第46-47页 |
| 4.2.3 紫外可见漫反射 | 第47-48页 |
| 4.2.4 光催化活性测试 | 第48页 |
| 4.3 溶胶-凝胶法制备500°C下不同稀土元素（Gd、Er、Te)及不同掺杂量影响的表征分析 | 第48-62页 |
| 4.3.1 X射线衍射分析 | 第48-53页 |
| 4.3.2 比表面积测试 | 第53-54页 |
| 4.3.3 扫描电镜分析 | 第54-56页 |
| 4.3.4 紫外可见漫反射分析 | 第56-58页 |
| 4.3.5 光催化性能测试和分析 | 第58-62页 |
| 5 结论和展望 | 第62-64页 |
| 5.1 共沉淀法制备ZnO光催化剂制备、表征及活性研究分析总结 | 第62页 |
| 5.2 溶胶-凝胶法制备ZnO光催化剂制备、表征及活性研究分析总结 | 第62-63页 |
| 5.3 展望 | 第63-64页 |
| 致谢 | 第64-65页 |
| 参考文献 | 第65-69页 |
| 个人简介 | 第69页 |
