N、F单掺及共掺杂锐钛矿型二氧化钛的第一原理研究
| 摘要 | 第4-6页 |
| abstract | 第6-7页 |
| 第1章 绪论 | 第13-26页 |
| 1.1 半导体光催化 | 第13-14页 |
| 1.1.1 半导体光催化的起源 | 第13-14页 |
| 1.1.2 半导体光催化剂简介 | 第14页 |
| 1.1.3 半导体光催化剂的应用 | 第14页 |
| 1.2 光催化剂TiO_2简介 | 第14-19页 |
| 1.2.1 TiO_2的性质 | 第14-15页 |
| 1.2.2 TiO_2光催化降解反应机理 | 第15-16页 |
| 1.2.3 TiO_2光催化剂的应用 | 第16-19页 |
| 1.3 影响TiO_2光催化性能的因素 | 第19-20页 |
| 1.3.1 晶型的影响 | 第19页 |
| 1.3.2 晶粒尺寸的影响 | 第19-20页 |
| 1.3.4 比表面积的影响 | 第20页 |
| 1.4 提高TiO_2光催化活性的方法 | 第20-25页 |
| 1.4.1 掺杂改性 | 第21-23页 |
| 1.4.2 复合半导体 | 第23-24页 |
| 1.4.3 染料光敏化 | 第24页 |
| 1.4.4 贵金属沉积 | 第24-25页 |
| 1.5 本文的研究意义及研究内容 | 第25-26页 |
| 第2章 计算原理和方法 | 第26-30页 |
| 2.1 第一原理 | 第26页 |
| 2.2 密度泛函理论 | 第26-29页 |
| 2.2.1 Hohenberg-Kohn定理 | 第26-27页 |
| 2.2.2 Kohn-Sham方程 | 第27-28页 |
| 2.2.3 交换关联能近似 | 第28-29页 |
| 2.3 VASP软件介绍 | 第29-30页 |
| 第3章 纯锐钛矿TiO_2的性质研究 | 第30-39页 |
| 3.1 理论模型和计算方法 | 第30页 |
| 3.2 结果与分析 | 第30-33页 |
| 3.3 GGA+U方法 | 第33-37页 |
| 3.4 DOS和PDOS | 第37-38页 |
| 3.5 本章小结 | 第38-39页 |
| 第4章 N单掺杂锐钛矿TiO_2的性质研究 | 第39-44页 |
| 4.1 理论模型和计算方法 | 第39页 |
| 4.2 结果与分析 | 第39-42页 |
| 4.2.1 DOS和PDOS | 第39-42页 |
| 4.2.2 能带结构 | 第42页 |
| 4.3 本章小结 | 第42-44页 |
| 第5章 F单掺杂锐钛矿TiO_2的性质研究 | 第44-49页 |
| 5.1 理论模型和计算方法 | 第44页 |
| 5.2 结果与分析 | 第44-47页 |
| 5.2.1 DOS和PDOS | 第44-47页 |
| 5.2.2 能带结构 | 第47页 |
| 5.3 本章小结 | 第47-49页 |
| 第6章 氮氟共掺杂锐钛矿TiO_2的性质研究 | 第49-58页 |
| 6.1 理论模型和计算方法 | 第49-50页 |
| 6.2 结果与分析 | 第50-56页 |
| 6.2.1 氮氟共掺杂的结果与讨论 | 第50-54页 |
| 6.2.2 氮氟以不同浓度掺杂二氧化钛的影响 | 第54-56页 |
| 6.3 本章小结 | 第56-58页 |
| 第7章 总结与展望 | 第58-60页 |
| 7.1 总结 | 第58-59页 |
| 7.2 展望 | 第59-60页 |
| 致谢 | 第60-61页 |
| 参考文献 | 第61-63页 |
