石墨烯的外延生长及性质研究
| 摘要 | 第1-5页 |
| Abstract | 第5-9页 |
| 1 绪论 | 第9-19页 |
| ·研究背景 | 第9-11页 |
| ·研究现状 | 第11页 |
| ·石墨烯的基本性质和制备方法 | 第11-17页 |
| ·石墨烯的基本性质 | 第11-13页 |
| ·石墨烯的制备方法 | 第13-17页 |
| ·课题主要研究内容及创新点 | 第17-19页 |
| ·主要研究内容 | 第17-18页 |
| ·论文的主要创新点 | 第18-19页 |
| 2 薄膜的制备与表征 | 第19-25页 |
| ·实验设备 | 第19-21页 |
| ·PLD基本原理 | 第20-21页 |
| ·PLD系统简介 | 第21页 |
| ·薄膜的制备过程 | 第21-23页 |
| ·衬底的选择 | 第21-22页 |
| ·薄膜的制备流程 | 第22-23页 |
| ·样品表征 | 第23-25页 |
| ·X射线光电子能谱 (XPS)表征 | 第23-24页 |
| ·表面形貌的表征 | 第24页 |
| ·紫外 -可见 -近红外光谱分析 | 第24-25页 |
| 3 高真空条件下石墨烯薄膜的生长 | 第25-41页 |
| ·CU(111)基片的处理 | 第25-26页 |
| ·激光脉冲频率对石墨烯薄膜生长的影响 | 第26-27页 |
| ·生长速率的标定 | 第27-28页 |
| ·不同激光脉冲数沉积石墨烯薄膜 | 第28-36页 |
| ·不同沉积温度制备石墨烯薄膜 | 第36-40页 |
| ·本章小结 | 第40-41页 |
| 4 氢气气氛中石墨烯薄膜的生长 | 第41-49页 |
| ·原子力 (AFM)形貌分析 | 第41-43页 |
| ·不同沉积温度制备石墨烯薄膜 | 第43-48页 |
| ·本章小结 | 第48-49页 |
| 5 石墨烯的光学性质和电学性质研究 | 第49-58页 |
| ·石墨烯的光学性质研究 | 第49-51页 |
| ·石墨烯的光学带隙计算 | 第51-53页 |
| ·石墨烯的电学性质研究 | 第53-57页 |
| ·本章小结 | 第57-58页 |
| 结论 | 第58-60页 |
| 致谢 | 第60-62页 |
| 参考文献 | 第62-68页 |
| 攻读硕士学位期间发表的论文及研究成果 | 第68页 |
