石墨烯的化学气相沉积法合成研究
| 摘要 | 第1-6页 |
| Abstract | 第6-11页 |
| 第一章 绪论 | 第11-20页 |
| ·引言 | 第11-12页 |
| ·石墨烯的发现 | 第12-13页 |
| ·石墨烯的结构 | 第13-14页 |
| ·石墨烯的性能 | 第14-16页 |
| ·光学性能 | 第15页 |
| ·电学性能 | 第15-16页 |
| ·力学性能 | 第16页 |
| ·热学性能 | 第16页 |
| ·石墨烯的制备方法 | 第16-19页 |
| ·机械剥离法 | 第17页 |
| ·氧化还原法 | 第17-18页 |
| ·SiC外延生长法 | 第18页 |
| ·超声分散法 | 第18页 |
| ·化学气相沉积法(CVD) | 第18-19页 |
| ·本论文的研究内容与研究意义 | 第19-20页 |
| 第二章 合金基底CVD生长高质量单层石墨烯的研究 | 第20-41页 |
| ·引言 | 第20-21页 |
| ·实验设备和原料 | 第21-23页 |
| ·实验过程 | 第23-24页 |
| ·生长 | 第23-24页 |
| ·转移 | 第24页 |
| ·合金生长石墨烯的结构表征 | 第24-31页 |
| ·光学显微镜 | 第24-25页 |
| ·拉曼光谱 | 第25-28页 |
| ·可见光透过率 | 第28-29页 |
| ·原子力显微镜 | 第29-30页 |
| ·透射电子显微镜 | 第30-31页 |
| ·合金生长石墨烯的电学性能测试 | 第31-34页 |
| ·石墨烯的器件制备 | 第31-32页 |
| ·石墨烯的电学性能测试 | 第32-34页 |
| ·理论计算和生长机理分析 | 第34-40页 |
| ·脱氢 | 第35-37页 |
| ·成核 | 第37-39页 |
| ·理论总结 | 第39-40页 |
| ·本章小结 | 第40-41页 |
| 第三章 低温常压CVD生长超薄类石墨烯薄膜的研究 | 第41-48页 |
| ·引言 | 第41页 |
| ·实验过程 | 第41-42页 |
| ·结构表征和性能测试 | 第42-46页 |
| ·光学显微镜 | 第42页 |
| ·扫描电子显微镜 | 第42-43页 |
| ·原子力显微镜 | 第43-44页 |
| ·透射电子显微镜 | 第44页 |
| ·拉曼光谱 | 第44-45页 |
| ·透光率 | 第45-46页 |
| ·电学性能测试 | 第46页 |
| ·在商业载玻片表面的生长 | 第46-47页 |
| ·本章小结 | 第47-48页 |
| 第四章 高温常压CVD合成单晶石墨烯的研究 | 第48-63页 |
| ·引言 | 第48-49页 |
| ·实验过程 | 第49-50页 |
| ·石墨烯单晶的结构表征 | 第50-54页 |
| ·光学显微镜 | 第50-51页 |
| ·扫描电子显微镜 | 第51-52页 |
| ·拉曼光谱 | 第52-53页 |
| ·拉曼mapping | 第53-54页 |
| ·单晶石墨烯的电学性能 | 第54-55页 |
| ·工艺参数 | 第55-58页 |
| ·退火时间 | 第55-56页 |
| ·退火环境 | 第56-57页 |
| ·生长温度 | 第57页 |
| ·氢气/甲烷流量比 | 第57-58页 |
| ·生长时间 | 第58页 |
| ·在熔融铜与液态铜表面生长单晶 | 第58-62页 |
| ·熔融铜 | 第59-60页 |
| ·液态铜 | 第60-62页 |
| ·本章小结 | 第62-63页 |
| 第五章 总结与展望 | 第63-65页 |
| 参考文献 | 第65-69页 |
| 致谢 | 第69-70页 |
| 在读期间发表的学术论文与取得的其他研究成果 | 第70页 |
