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提高NAND Flash存储系统可靠性的关键技术研究

摘要第1-6页
Abstract第6-9页
图目录第9-11页
表目录第11-12页
第1章 绪论第12-19页
   ·课题研究背景和意义第12页
   ·NAND Flash 介绍第12-16页
     ·NAND Flash 芯片结构第13-14页
     ·NAND Flash 分类第14-15页
     ·NAND Flash 的误码率第15-16页
   ·可靠性研究的必要性第16-18页
   ·论文结构及其章节安排第18-19页
第2章 纠错技术的研究第19-33页
   ·概述第19页
   ·Hamming 码纠错第19-26页
     ·Hamming 码简介第19-20页
     ·编码原理第20-24页
     ·译码原理第24-26页
   ·BCH 码纠错第26-32页
     ·BCH 码简介第26页
     ·BCH 码基本原理第26-28页
     ·编码原理第28-30页
     ·译码原理第30-32页
   ·本章小结第32-33页
第3章 纠错技术的设计和实现第33-58页
   ·Hamming 码纠错第33-50页
     ·参数选择第34-36页
     ·结构设计第36-37页
     ·FPGA 实现第37-40页
     ·验证及结果第40-49页
     ·占用资源论证第49-50页
   ·BCH 码纠错第50-55页
     ·BCH IP 核介绍第50-51页
     ·FPGA 设计和实现第51-52页
     ·验证及结果第52-55页
     ·占用资源论证第55页
   ·对比与分析第55-57页
   ·本章小结第57-58页
第4章 坏块管理与磨损均衡技术研究第58-66页
   ·坏块管理技术第58-61页
     ·概述第58页
     ·坏块管理的实现第58-61页
   ·磨损均衡技术第61-66页
     ·概述第61-62页
     ·磨损均衡的研究第62-65页
     ·磨损均衡技术的应用第65-66页
结论第66-67页
参考文献第67-70页
攻读学位期间发表论文与研究成果清单第70-71页
致谢第71页

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