| 摘要 | 第1-6页 |
| ABSTRACT | 第6-13页 |
| 1 引言 | 第13-28页 |
| ·红外探测器 | 第13-17页 |
| ·红外探测器发展史 | 第13-15页 |
| ·红外探测器分类 | 第15-17页 |
| ·Hg Cd Te红外探测器 | 第17-21页 |
| ·Hg Cd Te红外探测器的发展历程 | 第17-19页 |
| ·Hg Cd Te红外探测器的制备技术 | 第19-21页 |
| ·Hg Cd Te环孔探测器 | 第21-27页 |
| ·国外研究概况 | 第21-26页 |
| ·国内研究概况 | 第26-27页 |
| ·本论文的研究目的和主要内容 | 第27-28页 |
| 2 Hg Cd Te环孔探测器的环孔技术研究 | 第28-44页 |
| ·离子束刻蚀 | 第28-29页 |
| ·测试设备 | 第29-30页 |
| ·影响Hg Cd Te刻蚀速率的因素 | 第30-33页 |
| ·能量和束流密度 | 第30-32页 |
| ·样品的制备与测试 | 第30-31页 |
| ·结果与分析 | 第31-32页 |
| ·离子束入射角 | 第32-33页 |
| ·样品的制备与测试 | 第32页 |
| ·结果与分析 | 第32-33页 |
| ·影响刻蚀轮廓的因素 | 第33-38页 |
| ·掩膜 | 第33-35页 |
| ·样品的制备与测试 | 第34页 |
| ·结果与分析 | 第34-35页 |
| ·离子束入射角 | 第35-38页 |
| ·二次效应 | 第36-37页 |
| ·样品制备与测试 | 第37页 |
| ·结果与分析 | 第37-38页 |
| ·离子束刻蚀胶体和金属的研究 | 第38-41页 |
| ·离子束对胶体的刻蚀 | 第39-40页 |
| ·DW-3 胶的制备 | 第39页 |
| ·DW-3 胶的刻蚀速率 | 第39-40页 |
| ·离子束对金属的刻蚀 | 第40-41页 |
| ·环孔通道的互连验证 | 第41-43页 |
| ·本章小结 | 第43-44页 |
| 3 离子束刻蚀Hg Cd Te的电学特性研究 | 第44-53页 |
| ·迁移率谱原理 | 第44-47页 |
| ·电学特性研究 | 第47-52页 |
| ·样品制备与测试 | 第47页 |
| ·结果与分析 | 第47-52页 |
| ·本章小结 | 第52-53页 |
| 4 Hg Cd Te环孔探测器中影响光敏面尺寸的关键因素研究 | 第53-68页 |
| ·转型宽度的研究 | 第53-58页 |
| ·激光诱导电流（LBIC） | 第53-55页 |
| ·实验原理 | 第53-54页 |
| ·实验设备 | 第54-55页 |
| ·p型载流子浓度的影响 | 第55-56页 |
| ·样品制备与测试 | 第55页 |
| ·结果与分析 | 第55-56页 |
| ·环孔体积的影响 | 第56-58页 |
| ·样品制备与测试 | 第56页 |
| ·结果与分析 | 第56-58页 |
| ·扩散长度 | 第58-66页 |
| ·样品制备与测试 | 第58-59页 |
| ·LBIC测试结果 | 第59-61页 |
| ·p区少子扩散长度的提取 | 第61-64页 |
| ·n区少子扩散长度的提取 | 第64-66页 |
| ·光敏面的计算 | 第66-67页 |
| ·本章小结 | 第67-68页 |
| 5 Hg Cd Te环孔探测器的性能研究 | 第68-103页 |
| ·环孔探测器的制备 | 第68-72页 |
| ·气相外延材料 | 第68-69页 |
| ·器件的制备 | 第69-72页 |
| ·环孔探测器的性能表征 | 第72-83页 |
| ·I-V特性曲线 | 第72-77页 |
| ·串联电阻对I-V特性曲线的影响 | 第73-76页 |
| ·温度对I-V特性曲线的影响 | 第76-77页 |
| ·响应光谱 | 第77-80页 |
| ·响应率 | 第80-82页 |
| ·探测率 | 第82-83页 |
| ·器件暗电流机制分析 | 第83-89页 |
| ·暗电流机制 | 第84-86页 |
| ·R-V | 第86-88页 |
| ·R0-T | 第88-89页 |
| ·Hg Cd Te环孔探测器的高温性能 | 第89-95页 |
| ·温度对光敏面面积的影响 | 第89-91页 |
| ·高温性能 | 第91-95页 |
| ·信号噪声 | 第91-94页 |
| ·暗电流密度 | 第94-95页 |
| ·Hg Cd Te环孔探测器的雪崩效应 | 第95-101页 |
| ·雪崩效应 | 第96-98页 |
| ·Hg Cd Te APD的工作模式 | 第98页 |
| ·环孔n+-n-p结构的APD工作原理 | 第98-99页 |
| ·雪崩性能 | 第99-100页 |
| ·增益归一化暗电流 | 第100-101页 |
| ·本章小结 | 第101-103页 |
| 6 全文总结与展望 | 第103-106页 |
| ·总结 | 第103-104页 |
| ·展望 | 第104-106页 |
| 参考文献 | 第106-110页 |