| 摘要 | 第1-6页 |
| Abstract | 第6-9页 |
| Samenvatting | 第9-12页 |
| 目录 | 第12-15页 |
| TABLE OF CONTENTS | 第15-17页 |
| 图表目录 | 第17-23页 |
| 主要符号表 | 第23-24页 |
| 1 绪论 | 第24-44页 |
| ·低温等离子体 | 第24-25页 |
| ·低温等离子体源 | 第25-29页 |
| ·甚高频放电中电磁效应的研究进展 | 第29-42页 |
| ·电磁效应的理论和模拟研究 | 第30-37页 |
| ·电磁效应的诊断研究 | 第37-39页 |
| ·电磁效应的抑制方法 | 第39-42页 |
| ·本文的研究内容和安排 | 第42-44页 |
| 2 甚高频放电等离子体的流体力学模型 | 第44-53页 |
| ·引言 | 第44-45页 |
| ·等离子体流体力学模型 | 第45-47页 |
| ·粒子数守恒方程 | 第45-46页 |
| ·动量守恒方程 | 第46页 |
| ·能量守恒方程 | 第46-47页 |
| ·全波电磁场理论 | 第47-48页 |
| ·边界条件 | 第48-49页 |
| ·数值方法 | 第49-52页 |
| ·本章小结 | 第52-53页 |
| 3 甚高频心等离子体放电中的电磁效应 | 第53-67页 |
| ·引言 | 第53-54页 |
| ·频率效应 | 第54-58页 |
| ·电压效应 | 第58-62页 |
| ·气压效应 | 第62-66页 |
| ·本章小结 | 第66-67页 |
| 4 两个同频率电源的相位差对H_2等离子体特性的调制 | 第67-98页 |
| ·引言 | 第67-68页 |
| ·H_2等离子体化学反应模型 | 第68-69页 |
| ·相位差效应对H_2等离子动力学行为的影响 | 第69-82页 |
| ·射频放电中的相位差效应 | 第69-76页 |
| ·甚高频放电中的相位差效应 | 第76-82页 |
| ·相位差效应对H_2等离子体均匀性的影响 | 第82-95页 |
| ·等离子体密度 | 第83-88页 |
| ·功率沉积 | 第88-92页 |
| ·电离率 | 第92-94页 |
| ·离子通量 | 第94-95页 |
| ·本章小结 | 第95-98页 |
| 5 两个同频率电源的相位差对Ar/CF_4等离子体特性的调制 | 第98-120页 |
| ·引言 | 第98-99页 |
| ·Ar/CF_4等离子体化学反应模型 | 第99-101页 |
| ·静电模型与电磁模型的比较 | 第101-104页 |
| ·相位差效应对Ar/CF_4等离子体均匀性的影响 | 第104-112页 |
| ·不同频率 | 第104-109页 |
| ·不同气体组分 | 第109-112页 |
| ·相位差效应对等离子体组分的影响 | 第112-117页 |
| ·不同频率 | 第112-115页 |
| ·不同气体组分 | 第115-117页 |
| ·本章小结 | 第117-120页 |
| 6 双频CF_4/O_2等离子体中的电磁效应 | 第120-144页 |
| ·引言 | 第120-121页 |
| ·HPEM模型 | 第121-123页 |
| ·CF_4/O_2等离子体化学反应模型 | 第123-129页 |
| ·实验装置及诊断系统 | 第129-130页 |
| ·结果与讨论 | 第130-143页 |
| ·CF_4/O_2等离子体中电磁效应的模拟结果 | 第131-136页 |
| ·低频源功率对粒子通量及刻蚀率的影响 | 第136-140页 |
| ·高频源功率对粒子通量及刻蚀率的影响 | 第140-143页 |
| ·本章小结 | 第143-144页 |
| 7 结论与展望 | 第144-147页 |
| ·主要结论 | 第144-145页 |
| ·创新点摘要 | 第145-146页 |
| ·展望 | 第146-147页 |
| 参考文献 | 第147-159页 |
| 攻读博士学位期间科研项目及科研成果 | 第159-161页 |
| 致谢 | 第161-163页 |
| 作者简介 | 第163-164页 |