| 摘要 | 第1-11页 |
| Abstract | 第11-13页 |
| 插图索引 | 第13-15页 |
| 附表索引 | 第15-16页 |
| 第1章 绪论 | 第16-26页 |
| ·CIGS薄膜太阳能电池工作原理及结构简介 | 第16-17页 |
| ·论文意义 | 第17-18页 |
| ·论文研究背景 | 第18页 |
| ·国内外研究现状 | 第18-24页 |
| ·电池pn结物理模型的探讨 | 第18-19页 |
| ·电池材料的国内外研究现状 | 第19-21页 |
| ·新概念CIGS太阳能电池 | 第21-23页 |
| ·CIGS太阳能电池材料及器件的改善 | 第23-24页 |
| ·本论文工作 | 第24-26页 |
| 第2章 研究方法与理论基础 | 第26-36页 |
| ·研究方法与技术路线 | 第26-28页 |
| ·研究方法 | 第26页 |
| ·研究方案和技术路线 | 第26-27页 |
| ·关键技术和可行性分析 | 第27-28页 |
| ·第一性原理简介 | 第28-29页 |
| ·第一性原理概念 | 第28页 |
| ·第一性原理分类 | 第28-29页 |
| ·第一性原理计算的应用 | 第29页 |
| ·能带理论简介 | 第29-30页 |
| ·Bloch定理 | 第29-30页 |
| ·能带理论简介 | 第30页 |
| ·赝势技术 | 第30页 |
| ·密度泛函理论的基本思想与具体实现 | 第30-31页 |
| ·原子模拟计算方法简介 | 第31-35页 |
| ·核—壳模型 | 第31-32页 |
| ·晶体中离子的相互作用 | 第32页 |
| ·晶格能的计算方法 | 第32-35页 |
| ·计算模拟软件 | 第35-36页 |
| 第3章 S掺杂CuInSe_2的光电性质 | 第36-42页 |
| ·CuInSe_2高压下的晶格结构 | 第36-37页 |
| ·S掺杂CuInSe_2的晶格参数和光电性质 | 第37-41页 |
| ·S掺杂CuInSe_2的晶格参数 | 第37-38页 |
| ·CuInSe_2的介电函数 | 第38页 |
| ·S掺杂CuInSe_2的介电函数 | 第38-39页 |
| ·CuIn(Se_(1-x)S_x)_2的吸收系数 | 第39页 |
| ·CuIn(Se_(1-x)S_x)_2的光学带隙 | 第39-40页 |
| ·CuIn(Se_(1-x)S_x)_2的折射指数和消光系数 | 第40-41页 |
| ·本章小节 | 第41-42页 |
| 第4章 缺陷态对电池性能的影响 | 第42-49页 |
| ·CIGS太阳能电池缺陷态研究现状 | 第42页 |
| ·太阳能电池器件模拟方法简介 | 第42-43页 |
| ·CIGS中缺陷态密度对电池性能的影响 | 第43-44页 |
| ·开路电压Voc(V) | 第43-44页 |
| ·短路电流Jsc(mA/cm~2) | 第44页 |
| ·填充因子FF | 第44页 |
| ·光电转换效率Effi | 第44页 |
| ·缓冲层CdS中缺陷态密度对电池性能的影响 | 第44-46页 |
| ·开路电压Voc(V) | 第45页 |
| ·短路电流Jsc(mA/cm2) | 第45页 |
| ·填充因子FF | 第45-46页 |
| ·光电转换效率Effi | 第46页 |
| ·CIGS吸收层和CdS缓冲层厚度对电池性能的影响 | 第46-47页 |
| ·开路电压Voc(V) | 第46页 |
| ·短路电流Jsc(mA/cm~2) | 第46-47页 |
| ·填充因子FF | 第47页 |
| ·光电转换效率Effi | 第47页 |
| ·温度对电池性能的影响 | 第47-48页 |
| ·本章小节 | 第48-49页 |
| 第5章 缓冲层材料Cd1_(1-x)Zn_xS的晶体结构和光电性质 | 第49-54页 |
| ·模型建立 | 第49页 |
| ·Cd_(1-x)Zn_xS晶格常数的变化 | 第49-50页 |
| ·计算方法 | 第50页 |
| ·能带分析 | 第50-51页 |
| ·态密度 | 第51页 |
| ·光学性质 | 第51-53页 |
| ·复介电函数 | 第51-52页 |
| ·吸收系数 | 第52页 |
| ·复折射率 | 第52页 |
| ·反射率 | 第52-53页 |
| ·本章小节 | 第53-54页 |
| 第6章 Cd_(1-x)Zn_xS和CuIn_(1-x)Ga_xSe_2的热学性质 | 第54-62页 |
| ·Cd_(1-x)Zn_xS的晶格结构 | 第54-55页 |
| ·弹性模量 | 第55-56页 |
| ·比热容 | 第56页 |
| ·热膨胀系数 | 第56-57页 |
| ·声子态密度和德拜温度 | 第57-59页 |
| ·CuIn_(1-x)Ga_xSe_2原子模拟所需的势参数及其检验 | 第59页 |
| ·CuIn_(1-x)Ga_xSe_2的热力学性质 | 第59-61页 |
| ·本章小节 | 第61-62页 |
| 第7章 缓冲层材料ZnO_(1-x)S_x的电子布居与光学性质 | 第62-74页 |
| ·电子布居 | 第62-65页 |
| ·ZnO的电子布居 | 第62-63页 |
| ·S掺杂浓度为0.25时ZnO_(0.75)S_(0.25)的电子布居 | 第63页 |
| ·S掺杂浓度为0.5时ZnO_(0.5)S_(0.5)的电子布居 | 第63-64页 |
| ·S掺杂浓度为0.75时ZnO_(0.25)S_(0.75)的电子布居 | 第64页 |
| ·ZnS的电子布居 | 第64-65页 |
| ·CdS的电子布居 | 第65页 |
| ·ZnO_(1-x)S_x晶格常数比的变化 | 第65-66页 |
| ·能带结构分析 | 第66-68页 |
| ·态密度与分波态密度分析 | 第68-70页 |
| ·ZnO_(1-x)S_x化合物在不同掺杂浓度下的态密度 | 第68页 |
| ·CdS及随S浓度变化掺杂ZnO的态密度与分态密度 | 第68-70页 |
| ·光学性质 | 第70-72页 |
| ·复介电函数 | 第70-71页 |
| ·吸收系数 | 第71页 |
| ·折射指数 | 第71-72页 |
| ·反射率 | 第72页 |
| ·本章小节 | 第72-74页 |
| 结论 | 第74-76页 |
| 参考文献 | 第76-84页 |
| 致谢 | 第84-85页 |
| 附录A 攻读博士学位期间发表的学术论文目录 | 第85-86页 |
| 附录B La/SrMnO_3超晶格的原子模拟 | 第86-89页 |
| B.1 晶格能量和晶格常数 | 第86-88页 |
| B.2 局部晶格结构 | 第88-89页 |
