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三氧化钨纳米材料的合成及其气敏性能的研究

摘要第1-5页
ABSTRACT第5-8页
第一章 绪论第8-23页
   ·WO_3材料的基本特点及其气敏性能的研究进展第8-10页
     ·WO_3的基本特点第8-9页
     ·WO_3的气敏研究性能的研究进展第9-10页
   ·半导体气体传感器元件第10-14页
     ·传感器的类型第10-12页
     ·气敏元件的加热参数第12-14页
   ·半导体气敏检测原理第14-15页
     ·能带理论应用到气敏材料第14页
     ·氧空位模型第14-15页
   ·增强气敏性能的方式第15-22页
     ·尺寸效应第15-17页
     ·p-n异质结构提高气敏传感器性能第17-22页
   ·本文研究的目的和意义第22-23页
第二章 基于尺寸效应的高灵敏快响应WO_3丙酮传感器第23-36页
   ·试剂、元件与仪器第23-24页
   ·实验第24-26页
     ·钨源的制备第24-25页
     ·WO_3纳米颗粒的合成第25页
     ·WO_3纳米颗粒的气敏元件制作第25-26页
   ·结果与讨论第26-35页
     ·WO_3纳米颗粒形貌的表征第26-27页
     ·WO_3纳米颗粒的结构表征第27-29页
     ·WO_3纳米颗粒的气敏性质第29-34页
     ·气敏原理第34-35页
   ·小结第35-36页
第三章 在低温下WO_3/CuO p-n异质结增强H_2S气敏性能第36-52页
   ·试剂、元件与仪器第36-37页
   ·实验第37-38页
     ·WO_3纳米方块的合成第37-38页
     ·WO_3/CuO复合结构的合成第38页
     ·WO_3/CuO p-n复合结构气敏元件的制作第38页
   ·结果与讨论第38-51页
     ·WO_3/CuO p-n异质结构形貌和结构的表征第38-46页
     ·WO_3/CuO p-n异质结构的生长原理第46页
     ·WO_3/CuO p-n异质结构的气敏性能第46-49页
     ·WO_3/CuO p-n异质结构的气敏原理第49-51页
   ·小结第51-52页
第四章 结论与展望第52-54页
   ·结论第52页
   ·展望第52-54页
致谢第54-55页
参考文献第55-60页
附录第60页

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