| 摘要 | 第1-6页 |
| Abstract | 第6-11页 |
| 第1章 绪论 | 第11-27页 |
| ·Ⅲ族氮化物材料与器件的研究和应用背景 | 第11-14页 |
| ·Ⅲ族氮化物材料的基本结构和性质 | 第14-17页 |
| ·Ⅲ族氮化物材料的制备方法 | 第17-19页 |
| ·Ⅲ族氮化物半导体紫外探测器的研究现状 | 第19-23页 |
| ·Ⅲ族氮化物半导体存储器的研究现状 | 第23-24页 |
| ·本论文主要研究内容和意义 | 第24-27页 |
| 第2章 MOCVD 外延技术与表征测试手段 | 第27-41页 |
| ·引言 | 第27页 |
| ·MOCVD 外延技术 | 第27-33页 |
| ·Ⅲ族氮化物材料表征方法 | 第33-39页 |
| ·器件性能测试 | 第39-40页 |
| ·本章小结 | 第40-41页 |
| 第3章 Ⅲ族氮化物材料的 MOCVD 生长 | 第41-65页 |
| ·引言 | 第41-43页 |
| ·AlN/Sapphire 模板的 MOCVD 外延生长 | 第43-50页 |
| ·AlN 模板上 AlGaN 基 PIN 结构材料的外延生长 | 第50-61页 |
| ·AlN/GaN 异质结材料的外延生长 | 第61-64页 |
| ·本章小结 | 第64-65页 |
| 第4章 正照射与背照射 AlGaN 基 PIN 结构探测器的性能对比研究 | 第65-79页 |
| ·引言 | 第65页 |
| ·光电探测器相关性能简介 | 第65-67页 |
| ·正照射 AlGaN 基 PIN 结构探测器的研制与性能研究 | 第67-72页 |
| ·背照射 AlGaN 基 PIN 结构探测器的研制与性能研究 | 第72-77页 |
| ·本章小结 | 第77-79页 |
| 第5章 AlN/GaN 异质结 MIS 结构存储器件的研究 | 第79-93页 |
| ·引言 | 第79-80页 |
| ·AlN/GaN 异质结 MIS 结构器件的研制 | 第80页 |
| ·AlN/GaN 异质结 MIS 结构存储器件的性能测试与机理研究 | 第80-90页 |
| ·本章小结 | 第90-93页 |
| 第6章 结论与展望 | 第93-97页 |
| ·结论 | 第93-95页 |
| ·研究展望 | 第95-97页 |
| 参考文献 | 第97-107页 |
| 在学期间学术成果情况 | 第107-109页 |
| 指导教师及作者简介 | 第109-110页 |
| 致谢 | 第110页 |
