| 摘要 | 第1-6页 |
| ABSTRACT | 第6-9页 |
| 第一章 绪论 | 第9-15页 |
| ·半导体纳米团簇简介 | 第9-11页 |
| ·量子限制效应 | 第9-10页 |
| ·表面效应 | 第10-11页 |
| ·硅纳米团簇 | 第11-13页 |
| ·硅纳米团簇的应用前景 | 第11-12页 |
| ·国内外研究现状 | 第12-13页 |
| ·研究基础 | 第13页 |
| ·本论文的研究内容及方法 | 第13-15页 |
| 第二章 计算方法与理论基础 | 第15-23页 |
| ·引言 | 第15页 |
| ·绝热近似 | 第15-17页 |
| ·单电子近似（Hartree-Fock 近似） | 第17-18页 |
| ·密度泛函理论 | 第18-21页 |
| ·Kohn-Sham 方程 | 第19-20页 |
| ·局域密度近似 | 第20-21页 |
| ·广义梯度近似 | 第21页 |
| ·赝势方法 | 第21-22页 |
| ·计算软件 VASP 简介 | 第22-23页 |
| 第三章 氢饱和硅纳米团簇结构稳定性和电子性质的的理论研究:尺寸、形状和表面重构 | 第23-35页 |
| ·研究背景简介 | 第23-24页 |
| ·计算细节 | 第24-25页 |
| ·结果与讨论 | 第25-33页 |
| ·具有小 H/Si 比的 H-SiNCs 结构 | 第25-28页 |
| ·H-SiNCs 的结构稳定性 | 第28-31页 |
| ·H-SiNCs 结构的电子性质 | 第31-33页 |
| ·小结 | 第33-35页 |
| 第四章 通过表面悬挂键及分子吸附对硅纳米团簇导电性的调控 | 第35-44页 |
| ·研究背景简介 | 第35-36页 |
| ·计算细节 | 第36页 |
| ·结果与讨论 | 第36-43页 |
| ·表面悬挂键的非对称性掺杂 | 第36-39页 |
| ·悬挂键与分子吸附的共同作用 | 第39-43页 |
| ·小结 | 第43-44页 |
| 第五章 总结与展望 | 第44-48页 |
| ·总结 | 第44页 |
| ·展望 | 第44-48页 |
| ·激发态带隙 | 第45-46页 |
| ·sp~2与 sp~3杂化共存的团簇 | 第46-48页 |
| 参考文献 | 第48-54页 |
| 攻读硕士学位期间取得的研究成果 | 第54-55页 |
| 致谢 | 第55-56页 |
| 附件 | 第56页 |